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Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.
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1.
Modification of Carbon Related Films with Energy Beams
机译:
碳束相关膜的能量束修饰
作者:
Hiroshi Naramoto
;
Yonghua Xu
;
Kazumasa Narumi
;
Xiaodong Zhu
;
Jiri Vacik
;
Shunya Yamamoto
;
Kiyoshi Miyashita
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
2.
Modification of the electronic properties of a-Si_(l-x)C_x:H by Fe~+ ion implantation
机译:
Fe〜+离子注入修饰a-Si_(l-x)C_x:H的电子性质
作者:
T. Tsvetkova
;
S. Balabanov
;
B. Amov
;
Ch. Angelov
;
J. Zuk
;
D. Maczka
;
G.J. Adriaenssens
;
K. Iakoubovskii
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
3.
Metal-Alloy Nanocluster Formation in Silica Glass by Sequential Ion Implantation
机译:
顺序离子注入在石英玻璃中形成金属合金纳米团簇
作者:
G. Battaglin
;
E. Cattaruzza
;
F. Gonella
;
F. DAcapito
;
C. de Julian Fernandez
;
G. Mattel
;
C. Maurizio
;
P. Mazzoldi
;
C. Sada
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
4.
Nanophase Composites Produced by Ion Implantation: Properties, Problems, and Potential
机译:
离子注入生产的纳米复合材料:性质,问题和潜力
作者:
A. Meldrum
;
L. A. Boatner
;
C. W. White
;
R. F. Haglund
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
5.
Ion Beam Assisted Texture Evolution during Thin Film Deposition of Metal Nitrides
机译:
金属氮化物薄膜沉积过程中离子束辅助的组织演化
作者:
Bcrnd Stritzkcr
;
Juergcn W. Gcrlach
;
Stephan Six
;
Bernd Rauschenbach
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
6.
Understanding ion beam synthesis of nanostructures: Modeling and atomistic simulations
机译:
了解纳米结构的离子束合成:建模和原子模拟
作者:
M. Strobel
;
K.-H. Heinig
;
W. Moeller
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
7.
Unusual Change in Columnar Defect Morphology in VBCO upon Annealing
机译:
退火后VBCO中柱状缺陷形态的异常变化
作者:
Y. Van
;
M. A. Kirk
;
A. Petrean
;
L. Paulius
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
8.
Time-Resolved X-Ray Scattering Study of Co Surface Evolution during Low-Energy Ion Irradiation
机译:
低能离子辐照过程中Co表面演化的时间分辨X射线散射研究
作者:
O. Malis
;
J. M. Pomeroy
;
R. L. Headrick
;
J. D. Brock
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
9.
Simulations and Argon-Cluster-Ion Smoothing of Surfaces
机译:
表面的模拟和氩簇离子平滑
作者:
D. B. Fenner
;
D. W. Dean
;
V. DiFilippo
;
L. P. Allen
;
J. Hautala
;
P. B. Mirkarimi
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
10.
Spontaneous formation of nanometer-scale self-organized structures in Ag-Cu alloys under irradiation
机译:
Ag-Cu合金在辐照下自发形成纳米级自组织结构
作者:
Raul A. Enrique
;
Pascal Bellon
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
11.
Spontaneous Crystalline Multilayer Formation in Ni Implanted Al at 100 K
机译:
在100 K下Ni注入Al中自发形成多层晶体。
作者:
Alexandre Cuenat
;
Aicha Hessler-Wyser
;
Max Doebeli
;
Rolf Gotthardt
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
12.
The control of gold nanocluster sizes in dielectric thin films via ion beam assisted deposition
机译:
通过离子束辅助沉积控制介电薄膜中金纳米簇的大小
作者:
S. Schiestel
;
C.A. Carosella
;
G.K. Hubier
;
S.B. Qadri
;
D. Knies
;
R.M. Stroud
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
13.
Studies on Titanium Nitride Coatings - Effect of Ion Bombardment
机译:
氮化钛涂层的研究-离子轰击的影响
作者:
K.Deenamma Vargheese
;
G.Mohan Rao
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
14.
Mechanical Properties of AIN Thin Films Prepared by Ion Beam Assisted Deposition
机译:
离子束辅助沉积制备AIN薄膜的力学性能
作者:
Shuichi Miyabe
;
Toshiyuki Okawa
;
Nobuaki Kitazavva
;
Yoshihisa Watanabe
;
Yoshikazu Nakamura
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
15.
Lithium nanocluster formation in Li~+- ion implanted MgO
机译:
锂离子注入MgO中锂纳米簇的形成
作者:
A. van Veen
;
M.A. van Huis
;
A.V. Fedorov
;
H. Schut
;
C.V. Falub
;
S.W.H. Eijt
;
F. Labohm
;
B.J. Kooi
;
J.Th.M. De Hosson
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
16.
Properties of Gallium Disorder and Gold Implants in GaN
机译:
GaN中镓无序和金注入的特性
作者:
W. Jiang
;
W.J. Weber
;
S. Thevuthasan
;
V. Shutthanandan
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
17.
Relating Nanostructures to Mechanical Properties in Ion-Implanted Materials
机译:
离子注入材料中纳米结构与力学性能的关系
作者:
David M. Follstaedt
;
James A. Knapp
;
Samuel M. Myers
;
Gary A. Petersen
会议名称:
《》
|
2000年
18.
Post Annealing Studies Of C_(60) Ion Implanted Thin Films
机译:
C_(60)离子注入薄膜的退火后研究
作者:
Nethaji Dharmarasu
;
Kannan L. Narayanan
;
Nabuaki Kojima
;
Yoshio Ohshita
;
Masafumi Yamaguchi
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
19.
Synthesis of B-C-N Thin Films by Ion-Beam-Assisted Deposition and Their Mechanical Properties
机译:
离子束辅助沉积合成B-C-N薄膜及其力学性能
作者:
Akihito Matsumuro
;
Yoshimasa Kato
;
Hidenobu Ohta
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
20.
Synthesis of Ⅲ-N_x-V_(l-x) Thin Films by N Ion Implantation
机译:
N离子注入法合成Ⅲ-N_x-V_(l-x)薄膜
作者:
K. M. Yu
;
W. Walukiewicz
;
W. Shan
;
J. Wu
;
J. W. Bccman
;
J. W. Agcr III
;
E. E. Hallcr
;
M.C. Ridgway
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
21.
SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY WITH GAS CLUSTER ION BEAMS
机译:
气体簇离子束二次离子质谱法
作者:
Noriaki Toyoda
;
Jiro Matsuo
;
Takaaki Aoki
;
Shunichi Chiba
;
Isao Yamada
;
David B. Fenner
;
Richard Torti
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
22.
Synthesis of Spatially Controlled Nanostructures by Ion Implantation in V-Grooves on (001) Si Surfaces
机译:
(001)Si表面上V型槽中离子注入合成空间可控的纳米结构
作者:
Torsten Mueller
;
Karl-Heinz Heinig
;
Bernd Schmidt
;
Arndt Muecklich
;
Wolfhard Moeller
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
23.
Ion beam radiation effects on InAs semiconductor quantum dots
机译:
离子束辐射对InAs半导体量子点的影响
作者:
J. Zhu
;
M. Thaik
;
M. Yakimov
;
S. Oktyabrsky
;
A. E. Kaloyeros
;
M. B. Huang
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
24.
Ion Beam Enhanced Formation and Luminescence of Si Nanoclusters from a-SiO_x
机译:
a-SiO_x离子束增强Si纳米团簇的形成和发光
作者:
Yohan Sun
;
Se-Young Seo
;
Jung H. Shin
;
T. G Kim
;
C. N. Whang
;
J. H. Song
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
25.
Inverse Ostwald Ripening and Self-Organization of Nanoclusters due to Ion Irradiation
机译:
离子辐照引起的纳米团簇反奥斯特瓦尔德成熟和自组织
作者:
K.-H. Heinig
;
B. Schmidt
;
M. Strobel
;
H. Bernas
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
26.
Impact of Boron and Gallium on Defects Production in Silicon
机译:
硼和镓对硅中缺陷产生的影响
作者:
Aurangzeb Khan
;
Nethaji Dharmarasu
;
Masafumi Yamaguchi
;
Kenji Araki
;
Tuong K.Vu
;
Tatsuo Saga
;
Takao Abe
;
Osamu Annzawa
;
M. Imaizumi
;
Sumio Matsuda
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
27.
ENHANCEMENT OF POROSITY AND SURFACE ROUGHNESS OE CURED PHENOLIC RESIN BY ION IMPLANTATION
机译:
离子注入法增强酚醛树脂的孔隙率和表面粗糙度
作者:
R.L. Zimmerman
;
D. Ila
;
C.C. Smith
;
A.L. Evelyn
;
D.B. Pokert
;
D.K. Hensley
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
28.
EFFECTS OF Ga-IRRADIATION ON PROPERTIES OF MATERIALS PROCESSED BY A FOCUSED ION BEAM (FIB)
机译:
Ga辐照对聚焦离子束(FIB)处理的材料的性能的影响
作者:
H. D. WANZENBOECK
;
H. LANGFISCHER
;
A. LUGSTEIN
;
E. BERTAGNOLLI
;
U. GRABNER. P. PONGRATZ
;
B. BASNAR
;
J. SMOLINER
;
E. GORNIK
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
29.
Dynamical X-ray diffraction analysis of Solid Phase Epitaxy growth of Si_(l-y)C_y heterostructures
机译:
Si_(l-y)C_y异质结构固相外延生长的动态X射线衍射分析
作者:
J.Rodriguez-Viejo
;
Zakia el-Felk
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
30.
Effect of Iodine and Strontium Ion Implantation on the Microstructure of Cubic Zirconia
机译:
碘和锶离子注入对立方氧化锆微观结构的影响
作者:
Sha Zhu
;
Lumin Wang
;
Shixin Wang
;
Rodney C. Ewing
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
31.
Determination of the Distribution of Ion Implantation Boron in Silicon
机译:
硅中离子注入硼的分布测定
作者:
Te-Sheng Wang
;
A.G. Cullis
;
E.J.H. CoIIart
;
A.J. Murrell
;
M.A. Foad
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
32.
Coordination structure of implanted manganese ions in silica glass
机译:
石英玻璃中注入的锰离子的配位结构
作者:
Kohei Fukumi
;
Akiyoshi Chayhara
;
Hiroyuki Kageyama
;
Kohei Kadono
;
Naoyuki Kitamura
;
Hirohsi Mizoguchi
;
Yuji Horino
;
Masaki Makihara
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
33.
Correlation between Structural and Optical Properties of Si Nanocrystals in Si Model for the Visible Light Emission
机译:
可见光发射Si模型中Si纳米晶体的结构与光学性质的相关性
作者:
M. Lopez
;
B. Garrido
;
O. Gonzalez
;
C. Garcia
;
A. Perez-Rodriguez
;
J.R. Morante
;
C.Bonafos
;
M. Carrada
;
R.J. Rodriguez
;
J. Montserrat
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
34.
Cu gettering in Si cavities observed by Positron Annihilation Doppler Broadening
机译:
正电子An没多普勒展宽观察到硅腔中的铜吸收
作者:
H. Schut
;
A. van Veen
;
S.W.H. Eijt
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
35.
Crystallization of Isolated Amorphous Zones in Semiconductor Materials
机译:
半导体材料中孤立无定形区的结晶
作者:
Eric P. Hollar
;
Ian M. Robertson
;
Igor Jencic
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
36.
BURIED OXIDE PRECIPITATES IN A Si WAFER DUE TO He ION IMPLANTATION AND HIGH-TEMPERATURE OXIDATION
机译:
由于硅离子注入和高温氧化,硅晶片中的氧化硼沉淀
作者:
Sadao Nakashima
;
Jyoji Nakata
;
Junzou Hayashi
;
Kazuo Imai
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
37.
Synthesis of Continuous SmSi_2 Layers on Si by Samarium Ion Implantation Using A Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source
机译:
金属蒸气真空电弧离子源注入Sa离子在Si上合成连续SmSi_2层
作者:
X.Q.Cheng
;
H.N.Zhu
;
B.X.Liu
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
38.
Ion Beam Slicing of Single Crystal Oxide Thin Films
机译:
单晶氧化物薄膜的离子束切片
作者:
S. Thevuthasan
;
V. Shutthanandan
;
W. Jiang
;
W. J. Weber
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
39.
Ion-Plating Deposition of MgO Protective Layer for AC-Plasma Display Panels
机译:
交流等离子显示面板的MgO保护层的离子镀沉积
作者:
Kazuo Uetani
;
Hiroshi Kajiyama
;
Akira Kato
;
Isao Tokomoto
;
Yasuhiro Koizumi
;
Koichi Nose
;
Yasushi Thara
;
Ken-ichi Onisawa
;
Tetsuroh Minemura
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
40.
Kinetics of Ion Beam Synthesis of Sn and Sb Clusters in SiO_2 Layers
机译:
SiO_2层中Sn和Sb团簇的离子束合成动力学
作者:
Sabina Spiga
;
Sandro Ferrari
;
Marco Fanciulli
;
Bernd Schmidt
;
Karl-Heinz Heinig
;
Rainer Groetzschel
;
Arndt Muecklich
;
Giuseppe Pavia
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
41.
Influence of carbon on erbium lattice location in Si:Er
机译:
碳对Si:Er中晶格位置的影响
作者:
X. T. Ren
;
m. B. Huang
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
42.
Interactions of Point Defects and Impurities With Open Volume Defects in Silicon
机译:
硅中点缺陷和杂质与开放体积缺陷的相互作用
作者:
J.S. Williams
;
M.C. Ridgway
;
M.J. Conway
;
J. Wong-Leung
;
B.C. Williams
;
M. Pctravic
;
F. Fortuna
;
M.-O. Ruault
;
H. Bernas
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
43.
Improving the Understanding of Ion-Beam-Induced Defect Formation and Evolution by Atomistic Computer Simulations
机译:
通过原子计算机模拟提高对离子束诱导的缺陷形成和演化的理解
作者:
Matthias Posselt
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
44.
High-Fluence Implantation of Erbium into Silicon-Germanium Alloys: Structural and Thermal Properties
机译:
硅锗合金高效注入Alloy:结构和热性能
作者:
V. Touboltsev
;
J. Raeisaenen
;
E. Johnson
;
A. Johansen
;
L. Sarholt
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
45.
Growth and Characterization of Erbium Suicides Synthesized by Metal Vapor Vacuum Arc Ion Implantation
机译:
金属蒸气真空电弧离子注入合成的Su的生长和表征
作者:
X. W. Zhang
;
W. Y. Cheung
;
S. P. Wong
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
46.
Gold Nanoclusters Formed by Ion-Implantation into Bi_2TeO_5
机译:
离子注入Bi_2TeO_5形成金纳米团簇
作者:
A. Kling
;
M.F. da Silva
;
J.C. Soares
;
P.F.P. Fichtner
;
L. Amaral
;
F.C. Zawislak
;
I. Foeldvari
;
A. Peter
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
47.
Evolution of Ion Beam Synthesized Au Nanoclusters in SiO2 under Ion Irradiation
机译:
离子辐照下SiO 2中离子束合成的金纳米团簇的演化
作者:
Bernd Schmidt
;
Karl-Heinz Heinig
;
Arndt Muecklich
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
48.
Effect of Substrate Materials on Mechanical Properties and Microstructure of Carbon Nitride Films Prepared by Ion-beam-assistcd deposition
机译:
基板材料对离子束辅助沉积氮化碳薄膜力学性能和微观结构的影响
作者:
HIDENOBU OHTA
;
AKIHITO MATSUMURO
;
YUTAKA TAKAHASHI
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
49.
Effects of ArF Excimer Irradiation on Multi-Energy Ge and Se Ion Implanted Silica
机译:
ArF准分子辐照对多能Ge和Se离子注入二氧化硅的影响
作者:
R. H. Magruder III
;
R. A. Weller
;
R. A. Weeks
;
J. Wehrmeyer
;
R. A. Zuhr
;
D. K. Hensley
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
50.
Doping of GaN by ion implantation
机译:
通过离子注入对GaN进行掺杂
作者:
Eduardo J. Alves
;
C. Liu
;
Maria F. da Silva
;
Jose C. Soares
;
Rosario Correia
;
Teresa Monteiro
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
51.
Deposition of Diamond-Like Carbon Films using Plasma Based Ion Implantation with Bipolar Pulses
机译:
使用基于等离子体的双极脉冲离子注入沉积类金刚石碳膜
作者:
S.Miyagawa
;
Y.Miyagawa
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
52.
CHEMICAL EFFECTS IN ION IMPLANTATION INDUCED QUANTUM WELL INTERMIXING
机译:
离子注入诱导量子阱混合的化学作用
作者:
Todd W. Simpson
;
Paul G. Piva
;
Tan V. Mitchell
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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2000年
53.
Ion-implantation Generated Nanovoids in Si and MgO Monitored by High Resolution Positron Beam Analysis
机译:
高分辨率正电子束分析监测Si和MgO中离子注入产生的纳米空隙
作者:
S.W.H. Eijt
;
C.V. Falub
;
A. van Veen
;
H. Schut
;
P.E. Mijnarends
;
M.A. van Huis
;
A.V. Fedorov
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
54.
Investigation of Irradiation Damage in Silicon Dioxide Polymorphs using Cathodoluminescence Microanalysis
机译:
阴极发光微分析研究二氧化硅多晶型物的辐照损伤
作者:
Marion A. Stevens-Kalceff
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
55.
Nanoparticles of metallic Cobalt and Nickel prepared by ion implantation into SiO_2
机译:
离子注入SiO_2制备的金属钴镍纳米粒子
作者:
O. Cintora-Gonzalez
;
C. Estournes
;
D. Muller
;
M. Richard-Plouet
;
A. Traverse
;
J. L.Guille
;
J.J. Grob
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
56.
Ion Implanted Er and Tb in SiO_2 for Electroluminescence in MOS Diodes
机译:
离子注入SiO_2中的Er和Tb进行MOS二极管的电致发光
作者:
Ch. Buchal
;
S. Coffa
;
S. Wang
;
R. Carius
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
57.
MeV Ion Implantation Doping of Diamond
机译:
金刚石的MeV离子注入掺杂
作者:
S. Prawer
;
D.N. Jamieson
;
K.W. Nugent
;
R. Walker
;
C. Uzan-Saguy
;
R. Kalish
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
58.
OPTICAL AND STRUCTURAL CHANGES OF FE IMPLANTED SAPPHIRE
机译:
富铁浸渍蓝宝石的光学和结构变化
作者:
Carlos P. Marques
;
Eduardo J. Alves
;
Carl J. McHargue
;
Maria F. da Silva
;
Jose C. Soares
;
Rosario Correia
;
Manuel J. Soares
;
Teresa Monleiro
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
59.
Optimization of the Ion-Cut Process in Si and SiC
机译:
Si和SiC中离子切割工艺的优化
作者:
O. W. Holland
;
D. K. Thomas
;
R. B. Gregory
会议名称:
《》
|
2000年
60.
A Damage Model for Disordered Structures in Ion Irradiated Silicon
机译:
离子辐照硅中无序结构的损伤模型
作者:
Ju-Yin Cheng
;
J. Murray Gibson
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
61.
Modeling for the Diamond-Like Carbon Film Synthesis by Plasma Based Ion Implantation
机译:
等离子体基离子注入合成类金刚石碳膜的建模
作者:
Yoshiko Miyagawa
;
Flyura Djurabekova
;
Soji Miyagawa
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
62.
Post Implantation Treatment of Silicon Carbide-Based Sensors for Hydrogen Detection Properties Enhancement
机译:
碳化硅基传感器的植入后处理,可增强氢的检测性能
作者:
I. C. Muntele
;
C. I. Muntele
;
D. Ila
;
R. L. Zimmerman
;
D. B. Poker
;
D. K. Hensley
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
63.
Co-Implantation and the Role of Implant Damage in the Thermal Stability of Implanted Helium in Indium Phosphide
机译:
共植入和植入物损伤在磷化铟中植入氦气的热稳定性中的作用
作者:
Todd W. Simpson
;
Ian V. Mitchell
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
64.
Characterization of Thin Layers of Metal Clusters Embedded in Silica Glass Formed by High Dose Ion Implantation
机译:
高剂量离子注入形成的嵌入二氧化硅玻璃中的金属团簇的薄层特征
作者:
P.S. Chung
;
S.P. Wong
;
W.Y. Cheung
;
N. Ke
;
W.K. Lee
;
C.W. Chan
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
65.
Ar Cluster Ion Bombardment Effects on Semiconductor Surfaces
机译:
Ar簇离子轰击对半导体表面的影响
作者:
Toshio Seki
;
Kazumichi Tsumura
;
Takaaki Aoki
;
Jiro Matsuo
;
Gikan H. Takaoka
;
Isao Yamada
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
66.
Atomistic simulations of the Ostwald ripening of Si nanoparticles ion beam synthesized in
机译:
硅纳米粒子合成的纳米粒子的Ostwald成熟的原子模拟。
作者:
C. Bonafos
;
M. Carrada
;
B. Colombeau
;
A. Altibelli
;
G. Ben Assayag
;
B. Garrido
;
M. Lopez
;
A. Perez-Rodriguez
;
J. R. Morante
;
A. Claverie
会议名称:
《Symposium on Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials held Nov 27-29, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
2000年
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