掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China
International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China
召开年:
2000
召开地:
Beijing(CN)
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
卫星电视与宽带多媒体
洗净技术
现代传输
电信科学
电子商务世界
电子技术
卫星与网络
中国无线通信
电子设计应用
通信与广播电视
更多>>
相关外文期刊
State Telephone Regulation Report
Telecommunications
Circuits, systems, and signal processing
Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on
Advanced Packaging
Surface Mount Technology
O Plus E
Electronics & Communications in Japan. 1
Broadcast technology
Practical Wireless
更多>>
相关中文会议
北京邮电大学信息工程学院第三届学术年会
2007年互联网新媒体新技术研讨会
第九届全国光电技术及系统学术会议
2004中国集成电路产业发展研讨会暨第七届中国半导体行业协会集成电路分会年会
2014年河南省通信学会学术年会
2013四川省电子学术年会
第十九届全国青年通信学术年会
浙江省电子学会2011学术年会
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
第三届中国光通信技术与市场研讨会
更多>>
相关外文会议
Conference on Quantum Dots, Nanoparticles, and Nanoclusters; 20040126-20040127; San Jose,CA; US
Chemical mechanical polishing 12
Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 3
2002 International Conference on Advanced Packaging and Systems Mar 10-13, 2002 Reno, Nevada
ENTELEC 2002
Digital Electronic Materials Deposition Conference; 20021014-20021016; Palm Springs,CA; US
Free-Space Laser Communications VI; Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering; vol.6709
Semiconductor Technology(ISTC2008)
Opto-Contact: Workshop on Technology Transfers, Start-Up Opportunities,and Strategic Alliances
2017 3rd International Conference on Event-Based Control, Communication and Signal Processing
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH_3-MBE
机译:
NH_3-MBE生长的GaN外延层中的氢行为
作者:
Mei-Ying Kong
;
Jian-Ping Zhang
;
Xiao-Liang Wang
;
Dian-Zhao Sun
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
impurities;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
2.
Homoepitaxial distributed Bragg structures grown by MBE on ZnSe substrates
机译:
MBE在ZnSe衬底上生长的同质外延分布布拉格结构
作者:
P.A. Troubenko
;
V.I. Kozlovsky
;
T. Yao
;
Y.V. Korostelin
;
V.V. Roddatis
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
surfaces;
molecular beam epitaxy;
selenides;
semiconducting II-VI materials;
distributed bragg reflectors;
3.
Optimized channel thickness for high electron mobility in pseudomorphic In_(0.74)Ga_(0.26)As/In_(0.52)Al_(0.48)As quantum-well HEMT structures with (4 1 1)A super-flat interfaces grown by MBE
机译:
MBE生长的具有(4 1 1)A超平坦界面的准晶态In_(0.74)Ga_(0.26)As / In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱HEMT结构中的高电子迁移率的优化沟道厚度
作者:
Takahiro Kitada
;
Toyohiro Aoki
;
Issei Watanabe
;
Satoshi Shimomura
;
Satoshi Hiyamizu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
interfaces;
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting III―V materials;
high electron mobility transistors;
4.
Optimisation of MBE growth conditions for InAs quantum dots on (001) GaAs for 1.3 μm luminescence
机译:
(001)GaAs上InAs量子点的MBE生长条件的优化,用于1.3μm发光
作者:
F. Ferdos
;
M. Sadeghi
;
Q.X. Zhao
;
S.M. Wang
;
A. Larsson
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium arsenide;
laser diodes;
5.
Photoluminescence study of Si doping cubic GaN grown on (001) GaAs substrates by Molecular Beam Epitaxy
机译:
(001)GaAs衬底上生长的Si掺杂立方GaN的分子束外延光致发光研究
作者:
Z.Q. Li
;
H. Chen
;
H.F. Liu
;
L. Wan
;
Q. Huang
;
J.M. Zhou
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
doping;
high resolution X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
6.
Photoluminescence of nearly stoichiometric LT-GaAs and LT-GaAs/AlAs MQW
机译:
接近化学计量的LT-GaAs和LT-GaAs / AlAs MQW的光致发光
作者:
T. Obata
;
S. Fukushima
;
T. Araya
;
N. Otsuka
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
7.
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
机译:
MBE生长的GaNAs / GaAs单量子阱结构的光学跃迁和II型能带阵容
作者:
B.Q. Sun
;
D.S. Jiang
;
Z. Pan
;
L.H. Li
;
R.H. Wu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting III-V materials;
8.
Nanostructures formed on CdSe/ZnSe surfaces
机译:
在CdSe / ZnSe表面形成的纳米结构
作者:
B.P. Zhang
;
D.D. Manh
;
K. Wakatsuki
;
Y. Segawa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
cadmium compounds;
oxides;
zinc compounds;
semiconducting II-VI materials;
9.
Nitrogen incorporation in group Ill-nitride-arsenide materials grown by elemental source molecular beam epitaxy
机译:
元素源分子束外延生长的III族氮化物-砷化物材料中的氮掺入
作者:
S.G. Spruytte
;
M.C. Larson
;
W. Wampler
;
C.W. Coldren
;
H.E. Petersen
;
J.S. Harris
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
defects;
diffusion;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
laser diodes;
10.
Molecular beam epitaxy of lead salt-based vertical cavity surface emitting lasers for the 4-6μm spectral region
机译:
铅盐基垂直腔表面发射激光器在4-6μm光谱范围内的分子束外延
作者:
G. Springholz
;
T. Schwarzl
;
W. Heiss
;
M. Aigle
;
H. Pascher
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
high resolution X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconductor lead compounds;
infrared devices;
solid state lasers;
11.
Molecular beam epitaxy growth of InP layers on GaAs substrates using GaP decomposition source
机译:
GaP分解源在GaAs衬底上InP层的分子束外延生长
作者:
Somchai Ratanathammaphan
;
Supachok Thainoi
;
Pornchai Changmoang
;
Suwat Sopitpan
;
Choompol Antarasena
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
reflection high energy electron diffraction;
molecular beam epitaxy;
phophides;
semiconducting gallium arsenide;
semiconducting gallium compounds;
semiconducting indium phosphide;
semiconducting materials;
12.
1300nm GaAs-based microcavity LED incorporating InAs/GaInAs quantum dots
机译:
结合InAs / GaInAs量子点的1300nm基于GaAs的微腔LED
作者:
N.A. Maleev
;
A.V. Sakharov
;
C. Moeller
;
I.L. Krestnikov
;
A.R. Kovsh
;
S.S. Mikhrin
;
A.E. Zhukov
;
V.M. Ustinov
;
W. Passenberg
;
E. Pawlowski
;
H. Kuenzel
;
A.F. Tsatsulnikov
;
N.N. Ledentsov
;
D. Bimberg
;
Zh.I. Alferov
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
light emitting diodes;
13.
Molecular beam epitaxial growth of GaN on (1 0 0)- and (111) Si substrates coated with a thin SiC layer
机译:
在(1 0 0)-和(111)涂覆有薄SiC层的Si衬底上进行GaN的分子束外延生长
作者:
M. Cervantes-Contreras
;
M. Lopez-Lopez
;
M. Melendez-Lira
;
M. Tamura
;
Y. Hiroyama
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
interfaces;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting gallium compounds;
semiconducting silicon;
14.
Modification of GaAs/AlGaAs asymmetrically coupled double quantum well characteristics by proton implantation induced intermixing
机译:
通过质子注入诱导的混合修饰GaAs / AlGaAs不对称耦合的双量子阱特性
作者:
Z.L Miao
;
W. Lu
;
P.P. Chen
;
Z.F. Li
;
W.Y. Cai
;
X.Z. Yuan
;
P. Liu
;
G.L. Shi
;
W.L. Xu
;
X.C. Shen
;
C.M. Chen
;
D.Z. Zhu
;
J. Hu
;
M.Q. Li
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconductor III-V materials;
laser diodes;
15.
Mid-infrared GaInAsSb photodetector grown by solid source molecular beam epitaxy
机译:
固体源分子束外延生长的中红外GaInAsSb光电探测器
作者:
C. Lin
;
Y.L. Zheng
;
A.Z. Li
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
infrared devices;
16.
Maskless selective epitaxy of InGaN by an InGa low energy focused ion beam and dimethylhydrazine
机译:
InGa低能聚焦离子束和二甲基肼对InGaN的无掩模选择性外延
作者:
D.H. Cho
;
M. Tanaka
;
K. Pak
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
selective epitaxy;
nitrides;
semiconducting indium compounds;
17.
MBE growth process of ferromagnetic MnAs on Si(l 1 1) substrates
机译:
Si(l 1 1)衬底上铁磁MnAs的MBE生长过程
作者:
Ahsan M. Nazmul
;
A.G. Banshchikov
;
H. Shimizu
;
M. Tanaka
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
surface structure;
molecular beam epitaxy;
arsenates;
manganites;
magnetic materials;
18.
MBE growth and luminescence properties of hybrid Al(Ga)Sb/InAs/Cd(Mg)Se heterostructures
机译:
Al(Ga)Sb / InAs / Cd(Mg)Se杂结构的MBE生长和发光特性
作者:
S.V. Ivanov
;
V.A. Solovev
;
A.A. Toropov
;
I.V. Sedova
;
Ya.V. Terentev
;
V.A. Kaygorodov
;
M.G. Tkachman
;
P.S. Kopev
;
L.W. Molenkamp
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
interfaces;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
semiconducting II-VI materials;
19.
MBE growth of BeZnCdSe quaternaries, MgSe/BeZnCdSe superlattice and quantum well structures on InP substrates
机译:
InP衬底上BeZnCdSe四元系的MBE生长,MgSe / BeZnCdSe超晶格和量子阱结构
作者:
Masatoshi Takizawa
;
Ichirou Nomura
;
Song-Bek Che
;
Akihiko Kikuchi
;
Kazuhiko Shimomura
;
Katsumi Kishino
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
superlattices;
semiconducting II-VI materials;
semiconducting indium phosphide;
semiconducting quaternary alloys;
20.
MBE/MEE growth and characterization of C_(60)-doped GaAs
机译:
MBE / MEE生长和C_(60)掺杂GaAs的表征
作者:
H.H. Zhan
;
Y. Horikoshi
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
migration enhanced epitaxy;
molecular beam epitaxy;
arsenates;
semiconducting gallium arsenide;
21.
MBE-grown GaAs/AlGaAs and strained InGaAs/AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers
机译:
MBE生长的GaAs / AlGaAs和应变InGaAs / AlGaAs / GaAs量子级联激光器
作者:
G. Strasser
;
S. Gianordoli
;
W. Schrenk
;
E. Gornik
;
A. Muecklich
;
M. Helm
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
laser diodes;
22.
MBE of quantum wires and quantum dots
机译:
量子线和量子点的MBE
作者:
Richard Noeted
;
Klaus H. Ploog
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
23.
Microstructural differences of the two possible orientations of GaAs on vicinal (001) Si substrates
机译:
相邻(001)硅衬底上GaAs的两种可能取向的微观结构差异
作者:
M. Calamiotou
;
N. Chrysanthakopoulos
;
Ch. Lioutas
;
K. Tsagaraki
;
A. Georgakilas
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic force microscopy;
high resolution X-ray diffraction;
interfaces;
stresses;
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium arsenide;
24.
Micro structure analysis of ohmic contacts on MBE grown n-GaSb and investigation of sub-micron contacts
机译:
MBE生长的n-GaSb上欧姆接触的微观结构分析和亚微米接触的研究
作者:
J. Sigmund
;
M. Saglam
;
A. Vogt
;
H.L. Hartnagel
;
V. Buschmann
;
T. Wieder
;
H. Fuess
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
diffusion;
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
25.
Low-temperature MBE growth and characteristics of InP-based AlInAs/GaInAs MQW structures
机译:
InP基AlInAs / GaInAs MQW结构的低温MBE生长及其特性
作者:
H. Kuenzel
;
K. Biermann
;
D. Nickel
;
T. Elsaesser
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
point defects;
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting III-V materials;
26.
Long wavelength InGaAs-InGaAlAs-InP lasers grown in MBE
机译:
MBE中生长的长波长InGaAs-InGaAlAs-InP激光器
作者:
G.K. Kuang
;
G. Boehm
;
M. Grau
;
G. Roesel
;
M.-C. Amann
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
laser diodes;
27.
Low temperature molecular beam epitaxy growth and properties of (Ga, Er)As
机译:
低温分子束外延生长及(Ga,Er)As的性质
作者:
M. Tanaka
;
Y. Mishima
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
doping;
molecular beam epitaxy;
arsenide;
semiconducting III-V materials;
28.
Low threshold high efficiency MBE grown GaInAs/(Al)GaAs quantum dot lasers emitting at 980 nm
机译:
低阈值高效MBE生长的980 nm发射的GaInAs /(Al)GaAs量子点激光器
作者:
F. Klopf
;
J.P. Reithmaier
;
A. Forchel
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
superlattices;
arsenides;
semiconducting gallium aresenide;
laser diodes;
29.
Low shot noise GaAs/AlGaAs heterojunction phototransistors grown by MBE with aδ-doped base
机译:
MBE生长的δ掺杂基极低散粒噪声GaAs / AlGaAs异质结光电晶体管
作者:
Hailin Luo
;
Hoi Kwan Chan
;
Yuchun Chang
;
Y. Wang
;
Yisong Dai
;
Xinfa Zhang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium arsenide;
heterojunction semiconductor devices;
30.
Limitations in MBE-grown GaN and AlGaN/GaN due to dislocations and lateral inhomogeneities
机译:
由于位错和横向不均匀性,MBE生长的GaN和AlGaN / GaN受到限制
作者:
K.K.M.N. Gurusinghe
;
F. Faith
;
T.G. Andersson
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nolume defects;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
31.
Investigations on GaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3-1.55 μm emission
机译:
GaAsSbN / GaAs量子阱对1.3-1.55μm发射的研究
作者:
J.C. Harmand
;
G. Ungaro
;
J. Ramos
;
E.V.K. Rao
;
G. Saint-Girons
;
R. Teissier
;
G. Le Roux
;
L. Largeau
;
G. Patriarche
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
laser epitaxy;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
optical fiber devices;
32.
InGaAs/InGaAsP microdisk lasers grown by GSMBE
机译:
GSMBE生产的InGaAs / InGaAsP微盘激光器
作者:
Genzhu Wu
;
X.H. Wang
;
Q. Zheng
;
D.C. Ren
;
X.D. Zhang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting indium compounds;
laser diodes;
micro-disk;
33.
InSb thin films grown on GaAs substrate and their magneto-resistance effect
机译:
GaAs衬底上生长的InSb薄膜及其磁阻效应
作者:
Atsushi Okamoto
;
Arata Ashihara
;
Takayuki Akaogi
;
Ichiro Shibasaki
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
doping;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
34.
InAs/InP(00 1) quantum wire formation due to anisotropic stress relaxation: in situ stress measurements
机译:
各向异性应力松弛导致的InAs / InP(00 1)量子线形成:原位应力测量
作者:
J.M. Garcia
;
L. Gonzalez
;
M.U. Gonzalez
;
J.P. Silveira
;
Y. Gonzalez
;
F. Briones
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
stresses;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
35.
MBE grown high-quality CdSe-based islands and quantum wells using CdS compound and Se
机译:
MBE使用CdS化合物和Se种植了高质量的基于CdSe的岛和量子阱
作者:
E. Kurtz
;
M. Schmidt
;
B. Dal Don
;
S. Wachter
;
D. Litvinov
;
D. Gerthsen
;
H. Kalt
;
C. Klingshirn
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
migration enhanced epitaxy;
quantum islands;
quantum wells;
cadmium compounds;
zinc compounds;
semiconducting II-VI materials;
36.
MBE grown monocrystalline GaAs films on polycrystalline A1N thick films for power device applications
机译:
MBE生长在多晶A1N厚膜上的单晶GaAs膜,用于功率器件应用
作者:
Y. Wang
;
Leung Yee Wai
;
Hui Liu
;
Xixiang Zhang
;
Yuchun Chang
;
Hailin Luo
;
Liren Lou
;
Rong Chuan Fang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nitrides;
semiconducting gallium arsenide;
polycrystalline depositionAbstrct Monocrystalline GaAs films on a polycrystalline A1N thick film have been fabricated with molecular beam epitaxy (MBE) and DC magnetron sputtering technique. A very thick ( 30μm;
37.
MBE grown vertical emitter ballasting resistors to reduce the emitter current crowding effect in heterojunction bipolar transistors
机译:
MBE生长的垂直发射极镇流电阻,以减少异质结双极晶体管中的发射极电流拥挤效应
作者:
Yuchun Chang
;
Hailin Luo
;
Y. Wang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
heterojunction semiconductor devices;
38.
MBE growth of mid-infrared antimonide LEDs with strained electron barriers
机译:
具有应变电子势垒的中红外锑LED的MBE生长
作者:
X. Li
;
J. Heber
;
M. Pullin
;
D. Gevaux
;
C.C. Phillips
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
semiconducting III―V materials;
heterojunction semiconductor devices;
light emitting diodes;
39.
Growth and characterization of undoped ZnO films for single crystal based device use by radical source molecular beam epitaxy (RS-MBE)
机译:
自由基源分子束外延(RS-MBE)用于单晶基器件的未掺杂ZnO薄膜的生长和表征
作者:
K. Nakahara
;
H. Takasu
;
P. Fons
;
K. Iwata
;
A. Yamada
;
K. Matsubara
;
R. Hunger
;
S. Niki
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
reflection high energy electron diffraction;
surface structure;
X-ray diffraction;
A3. molecular beam epitaxy;
zinc compounds;
40.
Growth and layer structure optimization of 2.26 μm (AlGaIn)(AsSb) diode lasers for room temperature operation
机译:
用于室温操作的2.26μm(AlGaIn)(AsSb)二极管激光器的生长和层结构优化
作者:
S. Simanowski
;
C. Mermelstein
;
M. Walther
;
N. Herres
;
R. Kiefer
;
M. Rattunde
;
J. Schmitz
;
J. Wagner
;
G. Weimann
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
antimonides;
semiconducting III-V materials;
semiconducting quaternary alloys;
laser diodes;
41.
Strain-compensated GaInNAs/GaAsP/GaAs/GaInP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy
机译:
气源分子束外延生长的应变补偿GaInNAs / GaAsP / GaAs / GaInP量子阱激光器
作者:
Wei Li
;
Jani Turpeinen
;
Petri Melanen
;
Pekka Savolainen
;
Petteri Uusimaa
;
Markus Pessa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
laser diodes;
42.
Substrate temperature dependence of surface migration of As atoms during molecular beam epitaxy of GaAsP on a (4 1 1)A GaAs substrate
机译:
GaAsP分子束外延过程中(4 1 1)A GaAs衬底上As原子表面迁移的衬底温度依赖性
作者:
Yasuaki Tatsuoka
;
Masaya Uemura
;
Takahiro Kitada
;
Satoshi Shimomura
;
Satoshi Hiyamizu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
growth models;
molecular beam epitaxy;
phosphides;
43.
Surface stress effects during MBE growth of III-V semiconductor nanostructures
机译:
III-V半导体纳米结构MBE生长期间的表面应力效应
作者:
J.P. Silveira
;
J.M. Garcia
;
F. Briones
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
interfaces;
low dimensional structures;
nanostructures;
stresses;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
44.
Stacking effect of self-organized In_(0.15)Ga_(0.85)As quantum wires grown on (7 7 5)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy
机译:
自组织的In_(0.15)Ga_(0.85)As量子线通过分子束外延生长在(7 7 5)B取向的GaAs衬底上的堆叠效应
作者:
Yasuhide Ohno
;
Tadashi Nitta
;
Satoshi Shimomura
;
Satoshi Hiyamizu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
gallium compounds;
semiconducting III-V materials;
semiconducting indium compounds;
45.
Solid C_960) growth on hexagonal GaN (0001) surface
机译:
六方氮化镓(0001)表面上的固态C_960)生长
作者:
H. Takashima
;
M. Nakaya
;
A. Yamamoto
;
A. Hashimoto
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
growth models;
growth from vapor;
molecular beam epitaxy;
nanomaterials;
semiconducting materials;
solar cells;
46.
Scanning tunneling microscopy study of InAs islanding on GaAs(00 1)
机译:
GaAs上InAs孤岛的扫描隧道显微镜研究(00 1)
作者:
Shigehiko Hasegawa
;
Katsuhito Arakawa
;
Masakazu Tanaka
;
Hisao Nakashima
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
nucleation;
molecular beam epitaxy;
arsenides;
semiconducting III-V materials;
47.
Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers
机译:
自组装量子点,导线和量子点激光器
作者:
Wang Zhan-Guo
;
Chen Yong-Hai
;
Liu Feng-Qi
;
Xu Bo
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
strain;
molecular beam epitaxy;
quantum dots;
semiconducting III-V materials;
laser diodes;
48.
Self-assembled GaInAs quantum wire heterostructure design for temperature stabilized emission wavelength
机译:
自组装GaInAs量子线异质结构用于稳定温度发射波长
作者:
D.E. Wohlert
;
G.W. Pickrell
;
K.L. Chang
;
K.C. Hsieh
;
K.Y. Cheng
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting ternary compounds;
49.
Si-based resonant inter- and intraband tunneling diodes
机译:
基于硅的谐振带内和带内隧穿二极管
作者:
K. Eberl
;
R. Duschl
;
O.G. Schmidt
;
U. Denker
;
R. Haug
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
semiconducting silicon;
esaki-diode;
50.
Red vertical-cavity surface-emitting lasers grown by solid-source molecular beam epitaxy
机译:
固体源分子束外延生长的红色垂直腔面发射激光器
作者:
M. Saarinen
;
N. Xiang
;
V. Vilokkinen
;
P. Melanen
;
S. Orsila
;
P. Uusimaa
;
P. Savolainen
;
M. Toivonen
;
M. Pessa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy semiconducting III―V materials;
laser diodes;
51.
Red-green-blue light emitting diodes and distributed Bragg reflectors based on ZnCdMgSe lattice-matched to InP
机译:
基于与InP晶格匹配的ZnCdMgSe的红绿蓝发光二极管和分布式布拉格反射器
作者:
Maria C. Tamargo
;
Shiping Guo
;
Oleg Maksimov
;
Ying-Chih Chen
;
Frank C. Peiris
;
Jacek K. Furdyna
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
distributed bragg reflectors;
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
light emitting diodes;
52.
Reactive ion etching of Si_(1-x)Ge_x alloy with hydrogen bromide
机译:
用溴化氢对Si_(1-x)Ge_x合金进行反应性离子刻蚀
作者:
Lin Guo
;
Kaicheng Li
;
Daoguang Liu
;
Yihong Ou
;
Jing Zhang
;
Qiang Yi
;
Shiliu Xu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
germanium silicon alloys;
reactive ion etching;
bipolartransistors;
heterojunction semiconductor devices;
53.
Post growth thermal annealing of GaN grown by RF plasma MBE
机译:
RF等离子体MBE生长的GaN的生长后热退火
作者:
Wei Li
;
Aizhen Li
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
doping;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
54.
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of ZnO thin films on sapphire substrates with an MgO buffer
机译:
用MgO缓冲液对蓝宝石衬底上ZnO薄膜的等离子体辅助分子束外延
作者:
Y.F. Chen
;
H.J. Ko
;
S.K. Hong
;
K. Inaba
;
Y. Segawa
;
T. Yao
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
interfaces;
molecular beam epitaxy;
zinc compounds;
semiconducting II―VI materials;
55.
Structural characteristic and magnetic properties of Mn oxide films grown by plasma-assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE生长Mn氧化膜的结构特征和磁性
作者:
L.W. Guo
;
H. Makino
;
H.J. Ko
;
Y.F. Chen
;
T. Hanada
;
D.L. Peng
;
K. Inaba
;
T. Yao
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal morphology;
molecular beam epitaxy;
oxides;
magnetic materials;
56.
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (00 01) 6H-SiC
机译:
Si面(00 01)6H-SiC上SiC的同质外延生长和器件特性
作者:
J.M. Li
;
G.S. Sun
;
S.R. Zhu
;
L. Wang
;
M.C. Luo
;
F.F. Zhang
;
L.Y. Lin
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
semiconducting silicon compounds;
57.
ZnMgS-based solar-blind UV photodetectors grown by MBE
机译:
MBE生产的基于ZnMgS的日盲紫外光探测器
作者:
I.K. Sou
;
Marcus C.W. Wu
;
K.S. Wong
;
G.K.L. Wong
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
alloys;
UV photodetectors;
58.
Threshold voltage shift characterization of vertically stacked InAs nanodots in field-effect transistor
机译:
场效应晶体管中垂直堆叠的InAs纳米点的阈值电压漂移特性
作者:
Shuwei Li
;
Kazuto Koike
;
Hisayoshi Komai
;
Mitsuaki Yano
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
nanomaterials;
semiconducting III―V materials;
field effect transistors;
59.
Thermal stability of Ge channel modulation doped structures
机译:
Ge沟道调制掺杂结构的热稳定性
作者:
T. Irisawa
;
T. Ueno
;
H. Miura
;
Y. Shiraki
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
diffusion;
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
germanium silicon alloys;
60.
Transformation of GaAs (001)-(1 1 1)B facet structure by surface diffusion during molecular beam epitaxy on patterned substrates
机译:
GaAs(001)-(1 1 1)B刻面结构在图案化衬底上分子束外延过程中的表面扩散转化
作者:
S. Koshiba
;
Y. Nakamura
;
T. Noda
;
S. Watanabe
;
H. Akiyama
;
H. Sakaki
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
MBE;
facet structure;
diffusion;
growth;
61.
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure
机译:
以光致发光为优化标准,获得高质量的InGaAs / AlGaAs pHEMT结构
作者:
Xin Cao
;
Yiping Zeng
;
Lijie Cui
;
Meiying Kong
;
Liang Pan
;
Baoqiang Wang
;
Zhanping Zhu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
62.
The fractional-dimensional space approach to MBE-grown quantum-sized semiconductor low-dimensional systems
机译:
MBE生长的量子尺寸半导体低维系统的分数维空间方法
作者:
E. Reyes-G6mez
;
A. Matos-Abiague
;
M. de Dios-Leyva
;
L.E. Oliveira
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
impurities;
magnetic fields;
quantum wells;
superlattices;
semiconducting III-V materials;
63.
Temperature and injection current dependencies of 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum-well ridge-waveguide lasers
机译:
2μmInGaAsSb / AlGaAsSb多量子阱脊波导激光器的温度和注入电流依赖性
作者:
C. Lin
;
A.Z. Li
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
infrared devices;
laser diodes;
64.
Structure of MBE grown semiconductor-atomic superlattices
机译:
MBE生长的半导体原子超晶格的结构
作者:
Raphael Tsu
;
John C. Lofgren
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
superlattices;
oxides;
semiconducting silicon;
light emitting diodes;
65.
Tunneling spectroscopy in Fe-GaN-Fe trilayer structures grown by MBE using ECR microwave plasma nitrogen source
机译:
使用ECR微波等离子体氮源的MBE生长的Fe-GaN-Fe三层结构中的隧道光谱
作者:
S. Nemeth
;
H. Boeve
;
Zhiyu Liu
;
K. Attenborough
;
H. Bender
;
L. Nistor
;
G. Borghs
;
J. De Boeck
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
tunneling magnetoresistance;
metal-semiconductor-metal;
ECR-MBE;
GaN;
66.
Uniform and ordered self-assembled Ge dots on patterned Si substrates with selectively epitaxial growth technique
机译:
选择性外延生长技术在图案化Si衬底上均匀有序地自组装Ge点
作者:
G. Jin
;
J. Wan
;
Y.H. Luo
;
J.L. Liu
;
K.L. Wang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
selective epitaxy;
nanomaterials;
67.
Structural and optical properties of CdSe/ZnSe self-organized quantum dots
机译:
CdSe / ZnSe自组织量子点的结构和光学性质
作者:
Kenzo Maehashi
;
Nobuhiro Yasui
;
Takeshi Ota
;
Tsuguki Noma
;
Yasuhiro Murase
;
Hisao Nakashima
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
low dimensional structures;
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting cadmium compounds;
68.
Structural characterization of self-assembled InAs quantum dots grown by MBE
机译:
MBE生长的自组装InAs量子点的结构表征
作者:
K. Zhang
;
Ch. Heyn
;
W. Hansen
;
Th. Schmidt
;
J. Falta
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
nanostructures;
stresses;
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
semiconducting indium compounds;
69.
Growth of high-quality polycrystalline GaN on glass substrate by gas source molecular beam epitaxy
机译:
气源分子束外延在玻璃基板上生长高质量多晶GaN
作者:
H. Tampo
;
H. Asahi
;
Y. Imanishi
;
M. Hiroki
;
K. Ohnishi
;
K. Yamada
;
K. Asami
;
S. Gonda
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
photoluminescence;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
70.
Growth of high quality InGaAsN heterostructures and their laser application
机译:
高质量InGaAsN异质结构的生长及其激光应用
作者:
A.Yu. Egorov
;
D. Bernklau
;
B. Borchert
;
S. Illek
;
D. Livshits
;
A. Rucki
;
M. Schuster
;
A. Kaschner
;
A. Hoffmann
;
Gh. Dumitras
;
M.C. Amann
;
H. Riechert
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nitrides;
semiconducting gallium arsenide;
laser diodes;
71.
Growth of PrSrMnO_3-like thin films on NGO (110) substrates by plasma assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE在NGO(110)衬底上生长PrSrMnO_3样薄膜
作者:
Guojun Liu
;
Hongmei Wang
;
H. Makino
;
Hang-Ju Ko
;
T. Hanada
;
T. Yao
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic force microscopy;
reflection high energy electron diffraction;
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
oxides;
magnetic materials;
72.
Growth and characterization of cubic InGaN epilayers on 3C-SiC by RF MBE
机译:
RF MBE在3C-SiC上生长和表征立方InGaN外延层
作者:
T. Kitamura
;
S.H. Cho
;
Y. Ishida
;
T. Ide
;
X.Q. Shen
;
H. Nakanishi
;
S. Chichibu
;
H. Okumura
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
73.
Growth of device-quality GaAs layer directly on (001) Ge substrates by both solid-source and gas-source MBE
机译:
固态和气态MBE直接在(001)Ge衬底上生长器件质量的GaAs层
作者:
W. Li
;
S. Laaksonen
;
J. Haapamaa
;
M. Pessa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
defects;
molecular beam epitaxy;
semiconducting materials;
74.
Growth of GaInP on misoriented substrates using solid source MBE
机译:
使用固态源MBE在取向不正确的衬底上生长GaInP
作者:
S. Orsila
;
A. Tukiainen
;
P. Uusimaa
;
J. Dekker
;
T. Leinonen
;
M. Pessa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting III―V materials;
75.
Growth of ZnCdSe quantum wells at low substrate temperatures using migration enhanced epitaxy
机译:
ZnCdSe量子阱在低衬底温度下使用迁移增强的外延生长
作者:
K. Leonard
;
T. Passow
;
M. Klude
;
D. Hommel
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic layer epitaxy;
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting II-VI materials;
laser diodes;
light emitting diodes;
76.
High-power AlGaAs/GaAs broad-area lasers grown by MBE
机译:
MBE生产的高功率AlGaAs / GaAs广域激光器
作者:
Bo Baoxue
;
Qu Yi
;
Gao Xin
;
Du Guotong
;
Gao Dingsan
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
impurity-free vacancy diffusion;
molecular beam epitaxy;
laser diodes;
77.
Optimising the growth of pyramidal GaAs microstructures on pre-patterned GaAs(00 1) substrates
机译:
优化在预构图的GaAs(00 1)衬底上金字塔形GaAs微观结构的生长
作者:
R.S. Williams
;
M.J. Ashwin
;
J.H. Neave
;
T.S. Jones
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
diffusion;
low dimensional structures;
surface processes;
surface structure;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
78.
Physical properties of InN with the band gap energy of 1.1 eV
机译:
带隙能为1.1 eV的InN的物理性质
作者:
T. Inushima
;
V.V. Mamutin
;
V.A. Vekshin
;
S.V. Ivanov
;
T. Sakon
;
M. Motokawa
;
S. Ohoya
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semi-conducting indium compounds;
79.
Photoluminescence studies of GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy
机译:
液滴外延生长的GaAs量子点的光致发光研究
作者:
Katsuyuki Watanabe
;
Shiro Tsukamoto
;
Yoshihiko Gotoh
;
Nobuyuki Koguchi
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
annealing;
low dimensional structures;
photoluminescence;
quantum dots;
molecular beam epitaxy;
gallium compounds;
80.
Photoluminescence of self-assembled CdSe quantum dots by molecular beam epitaxy
机译:
自组装CdSe量子点的分子束外延发光
作者:
Nobuo Matsumura
;
Takashi Saito
;
Junji Saraie
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
cadmium compounds;
zinc compounds;
semiconducting cadmium compounds;
semiconducting II-VI materials;
81.
Phase diagram of lateral and vertical ordering in self-organized PbSe quantum dot superlattice grown MBE
机译:
自组织PbSe量子点超晶格生长MBE中横向和垂直有序的相图
作者:
G. Springholz
;
M. Pinczolits
;
G. Bauer
;
H.H. Kang
;
L. Salamanca-Riba
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic force microscopy;
low dimensional structures;
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
superlattices;
tellurites;
semiconducting lead compounds;
82.
A two-stage molecular beam epitaxial growth method to fabricate small and uniform Ge quantum dots on Si(l 00)
机译:
在Si(l 00)上制备小的均匀Ge量子点的两阶段分子束外延生长方法
作者:
W.R. Jiang
;
Jie Qin
;
D.Z. Hu
;
H. Xiong
;
Z.M. Jiang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
83.
Abnormal temperature-dependent photoluminescence characteristics of stacked InAs self-assembled quantum dot structures grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的堆叠式InAs自组装量子点结构的异常温度依赖性光致发光特性
作者:
Tae-Won Kang
;
Jae-Eung Oh
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
84.
Normal incidence infrared photoconductor of self-assembled InAs quantum dots in modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures
机译:
自组装InAs量子点在调制掺杂AlGaAs / GaAs异质结构中的垂直入射红外光电导体
作者:
M.D. Kim
;
A.G. Choo
;
T.I. Kim
;
S.S. Ko
;
D.H. Baek
;
S.C. Hong
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
nanomaterials;
semiconducting III-V materials;
infrared devices;
85.
Nucleation and growth of ZnO on (1 1 20) sapphire substrates using molecular beam epitaxy
机译:
使用分子束外延在(1 1 20)蓝宝石衬底上ZnO的成核和生长
作者:
P. Fons
;
K. Iwata
;
A. Yamada
;
K. Matsubara
;
S. Niki
;
K. Nakahara
;
T. Tanabe
;
H. Takasu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
EXAFS;
high resolution X-ray diffraction;
initial growth;
molecular beam epitaxy;
oxides;
zinc compounds;
86.
Optical properties and ordering of Al_xGa_(1-x)N MBE-layers
机译:
Al_xGa_(1-x)N MBE层的光学性质和有序
作者:
D.G. Ebling
;
L. Kirste
;
K.W. Benz
;
N. Teofilov
;
K. Thonke
;
R. Sauer
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
superlattices;
nitrides;
piezoelectric materials;
semiconducting III-V materials;
87.
Oxygen-related deep level defects in solid-source MBE grown GaInP
机译:
固体源MBE生长的GaInP中与氧有关的深层缺陷
作者:
N. Xiang
;
A. Tukiainen
;
J. Dekker
;
J. Likonen
;
M. Pessa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
defects;
impurities;
molecular beam epitaxy;
semiconducting indium gallium phosphide;
88.
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(00 1) substrates
机译:
GaAs(00 1)衬底上生长的六方夹杂物与立方氮化镓的取向关系
作者:
B. Qu
;
X.H. Zheng
;
Y.T. Wang
;
D.P. Xu
;
S.M. Lin
;
Hui Yang
;
J.W. Liang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
X-ray diffraction;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
89.
A growth method to obtain flat and relaxed In_(0.2)Ga_(0.8)As on GaAs (001) developed through in situ monitoring of surface topography and stress evolution
机译:
通过对表面形貌和应力演化的原位监测开发了一种在GaAs(001)上获得平坦且松弛的In_(0.2)Ga_(0.8)As的生长方法
作者:
M.U. Gonzalez
;
Y. Gonzalez
;
L. Gonzalez
;
M. Calleja
;
J.P. Silveira
;
J.M. Garcia
;
F. Briones
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
in situ characterization;
relaxed buffer layers;
laser light scattering;
roughening;
molecular beam epitaxy;
semiconducting ternary compounds;
90.
Monte Carlo simulation of defect formation in ZnSe/GaAs heterovalent epitaxy
机译:
ZnSe / GaAs异质外延中缺陷形成的蒙特卡罗模拟
作者:
T. Nakayama
;
K. Sano
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
computer simulation;
defects;
interfaces;
molecular beam epitaxy;
zinc compounds;
semiconducting II-VI materials;
91.
M-plane GaN(l 1 0 0) grown on γ-LiAlO_2(l 00): nitride semiconductors free of internal electrostatic fields
机译:
在γ-LiAlO_2(l 00)上生长的M面GaN(l 1 0 0):无内部静电场的氮化物半导体
作者:
P. Waltereit
;
O. Brandt
;
M. Ramsteiner
;
A. Trampert
;
H.T. Grahn
;
J. Menniger
;
M. Reiche
;
K.H. Ploog
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
nitrides;
piezoelectric materials;
semi-conducting III-V materials;
92.
Molecular beam epitaxy of GaAs/AlGaAs epitaxial structures for integrated optoelectronic devices on Si using GaAs-Si wafer bonding
机译:
利用GaAs-Si晶片键合在Si上集成光电器件的GaAs / AlGaAs外延结构的分子束外延
作者:
Z. Hatzopoulos
;
D. Cengher
;
G. Deligeorgis
;
M. Androulidaki
;
E. Aperathitis
;
G. Halkias
;
A. Georgakilas
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting gallium arsenide;
heterojunction semiconductor devices;
laser diodes;
93.
Molecular beam epitaxy of GaInNAs by using solid source arsenic
机译:
固体源砷对GaInNAs分子束外延的影响
作者:
T. Kitatani
;
M. Kondow
;
T. Tanaka
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
laser diodes;
94.
1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers and VCSELs grown by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长的1.3μmInAs / GaAs量子点激光器和VCSEL
作者:
V.M. Ustinov
;
A.E. Zhukov
;
N.A. Maleev
;
A.R. Kovsh
;
S.S. Mikhrin
;
B.V. Volovik
;
Yu.G. Musikhin
;
Yu.M. Shernyakov
;
M.V. Maximov
;
A.F. Tsatsulnikov
;
N.N. Ledentsov
;
Zh.I. Alferov
;
J.A. Lott
;
D. Bimberg
会议名称:
《》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
laser diodes;
95.
Optical investigation of MBE grown Si-doped Al_xGa_(1-x)N as a function of nominal Al mole fraction up to 0.5
机译:
MBE生长的Si掺杂的Al_xGa_(1-x)N作为名义Al摩尔分数的函数的光学研究,最高0.5
作者:
J.L. McFall
;
R.L. Hengehold
;
Y.K. Yeo
;
J.E. Van Nostrand
;
A.W. Saxler
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
doping;
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting ternary compounds;
96.
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by In_xGa_(1-x)As(0
机译:
In_xGa_(1-x)As(0
作者:
Zhichuan Niu
;
Xiaodong Wang
;
Zhenhua Miao
;
Songlin Feng
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal morphology;
quantum dots;
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium arsenide;
semiconducting indium gallium arsenide;
97.
MBE growth, structure and magnetic properties of MnAs on GaAs on a microscopic scale
机译:
微观尺度上GaAs上MnAs的MBE生长,结构和磁性能
作者:
L. Daeweritz
;
F. Schippan
;
A. Trampert
;
M. Kaestner
;
G. Behme
;
Z.M. Wang
;
M. Moreno
;
P. Schuetzenduebe
;
K.H. Ploog
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
interfaces;
surfaces;
characterization;
molecular beam epitaxy;
inorganic compounds;
magnetic materials;
98.
MBE growth of room-temperature InAsSb mid-infrared detectors
机译:
室温InAsSb中红外探测器的MBE生长
作者:
X. Marcadet
;
A. Rakovska
;
I. Prevot
;
G. Glastre
;
B. Vinter
;
V. Berger
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
antimonides;
semiconducting III-V materials;
infrared devices;
99.
MBE growth of Si on SiC(0 0 0 1): from superstructures to islands
机译:
Si在SiC(0 0 0 1)上的MBE生长:从上层结构到孤岛
作者:
A. Fissel
;
R. Akhtariev
;
U. Kaiser
;
W. Richter
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
crystal structure;
diffusion;
nanostructures;
nucleation;
reflection high energy electron diffraction;
surface structure;
molecular beam epitaxy;
semicoducting silicon;
100.
MBE-based SiGe/Si heterojunction multilayer structures
机译:
基于MBE的SiGe / Si异质结多层结构
作者:
Kaicheng Li
;
Jing Zhang
;
Daoguang Liu
;
Qiang Yi
;
Lin Guo
;
Shiliu Xu
;
Wei-Xin Ni
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
doping;
X-ray diffraction;
single crystal growth;
molecular beam epitaxy;
germanium silicon alloys;
semiconducting silicon;
bipolar transistors;
heterojunction semiconductor devices;
意见反馈
回到顶部
回到首页