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1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers and VCSELs grown by molecular beam epitaxy

机译：通过分子束外延生长的1.3μmInAs / GaAs量子点激光器和VCSEL

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Molecular beam epitaxy growth of InAs/InGaAs quantum dot (QD) structures on GaAs substrates for 1.3 μm laser applications is discussed. Long-stripe edge-emitting lasers demonstrate low threshold current density (< 100 A/cm~2), high differential efficiency (>50%) and low internal loss (～1-2cm~(-1)). Maximum output continuous-wave power for broad-area lasers is as high as 2.7 W. Narrow stripe (7 μm) lasers demonstrate single transverse mode operation with the maximum kink-free power of 110mW. 1.3μm vertical cavity surface emitting lasers were successfully fabricated from the structures with three QD planes inserted into the optical microcavity with AlO-GaAs Bragg reflectors. The output power is 220 mW at a drive current of 2.4mA under pulsed mode for the device with the 8 x 8 μm oxidized aperture.
机译：讨论了在1.3μm激光应用中GaAs衬底上InAs / InGaAs量子点（QD）结构的分子束外延生长。长条纹边缘发射激光器具有低阈值电流密度（<100 A / cm〜2），高差分效率（> 50％）和低内部损耗（〜1-2cm〜（-1））。广域激光器的最大输出连续波功率高达2.7W。窄条（7μm）激光器演示了单横向模式操作，最大无扭结功率为110mW。通过将三个QD平面插入AlO-GaAs Bragg反射镜的光学微腔中，成功地构造了1.3μm垂直腔表面发射激光器。对于具有8 x 8μm氧化孔径的器件，在脉冲模式下，在2.4mA驱动电流下的输出功率为220 mW。

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