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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法

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本发明提出了一种InGaAs/GaAs自组织量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长技术。通过精确控制分子束外延生长条件一用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温下1.3微米发光，并显著提高室温下光荧光发光效率。其室温PL谱半峰宽仅为19.2meV，将其应用于1.3微米波段的量子点激光器、探测器等各种光电子器件中，将极大地改善该类器件的性能如：降低其激光器阈值电流、增强探测器灵敏度等。

著录项

公开/公告号CN1145247C

专利类型发明授权
公开/公告日2004-04-07

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN01104430.6
发明设计人牛智川;封松林;杨富华;王晓东;汪辉;李树英;苗振华;李树深;
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申请日2001-02-26
分类号H01S5/323;H01L21/20;
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人戎志敏
地址 100083 北京市912信箱
入库时间 2022-08-23 08:56:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-04-25

专利权的终止未缴年费专利权终止

专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-04-07

授权

授权
2002-12-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2002-10-02

公开

公开
2001-09-26

实质审查的生效

实质审查的生效

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