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段子刚; 柴广跃;
深圳大学教育部广东省光电子器件与系统重点实验室;
异质结; 晶体管激光器; 外延结构; 掺杂扩散; 量子阱退化;
机译:波长为1.3- / splμm/ m的InGaAsP-InP折叠腔面发射激光器,由气体源分子束外延生长
机译:1.55- / splμ/ m InGaAsP-InP激光器阵列,具有使用单外延生长制造的集成模式扩展器
机译:锑化物Ⅱ型'W'大功率带间级联激光器和长波长红外光电二极管的分子束外延生长
机译:在1550nm的多量子阱(MQW)激光器,由没有波导蚀刻的MOVPE制造的1550nm,其具有单个外延选择性生长步骤
机译:长波长垂直腔激光器的磷化铟基合金的分子束外延。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:具有多量子阱的异质结构的光学放大在1550nm的波长范围内,基于它们的垂直发射激光器的极限频率调制
机译:用于高性能光信息网络的长波长(1.1-1.5微米)垂直腔面发射激光器和光开关的新型外延生长技术
机译:一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
机译:双极集成电路pnp晶体管-具有带p注入区和n型外延层的p型衬底
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