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首页> 外文会议>International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China >Low temperature molecular beam epitaxy growth and properties of (Ga, Er)As
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Low temperature molecular beam epitaxy growth and properties of (Ga, Er)As

机译：低温分子束外延生长及（Ga，Er）As的性质

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We have grown a new alloy semiconductor (Ga_(1-x), Er_x)As by low-temperature molecular beam epitaxy (LT-MBE) on GaAs (00 1) substrates, and have studied its structural, optical, electrical, and magneto-optical properties. By LT-MBE at 200-400℃, homogeneous ternary alloy (Ga_(1-x), Er_x)As thin films with (Erbium) Er concentration from 2 x 10~(16) up to 7.7 x 10~(20)cm~(-3) (x = 3.5%) can be grown without major defects or clustering. (Ga, Er)As is highly resistive, suggesting that Er is 3+ substituting the Ga sublattice. Photoluminescence (PL) at 1.54!!!!m was observed for the (Ga, Er)As samples grown at 400℃. From magneto-optical spectra, it was found that there is little hybridization of 4f' and sp orbitals in (Ga, Er)As, in contrast with the strong sp-d hybridization in (GaMn)As.
机译：我们已经通过低温分子束外延（LT-MBE）在GaAs（00 1）衬底上生长了一种新型合金半导体（Ga_（1-x），Er_x）As，并研究了其结构，光学，电学和磁学-光学性质。在200-400℃下通过LT-MBE制成均质三元合金（Ga_（1-x），Er_x）作为（Erbium）Er浓度从2 x 10〜（16）到7.7 x 10〜（20）cm的薄膜〜（-3）（x = 3.5％）可以生长而没有重大缺陷或聚集。 （Ga，Er）As具有高电阻，表明Er是3+取代Ga子晶格。对于在400℃下生长的（Ga，Er）As样品，观察到1.54 !!!! m的光致发光（PL）。从磁光光谱中发现，与（GaMn）As中强的sp-d杂化相比，在（Ga，Er）As中4f′和sp轨道几乎没有杂化。

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