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首页> 外文会议>Symposium on Organic and Polymeric Materials and Devices―Optical, Electrical and Optoelectronic Properties Apr 1-5, 2002 San Francisco, California, U.S.A. >Studies of Alq/Mg: Ag Interface in Organic Light-Emitting Diodes by XPS
【24h】

Studies of Alq/Mg: Ag Interface in Organic Light-Emitting Diodes by XPS

机译：XPS法研究有机发光二极管中的Alq / Mg：Ag界面

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The organic/cathode interface plays an important role in device degradation of organic light-emitting diodes (OLEDs). The interface between 8-hydroxyquinolino aluminium (Alq) and Mg:Ag cathode in OLEDs, operated for some time, was characterized using X-ray photoemission spectroscopy (XPS). An in-vacuum peel-off method was used to separate the buried interfaces. XPS results indicate that Alq molecules break down, resulting in formation of fragmented hydroxyquinolino, Mg oxides, and metallic Al at the interface. It is also found by XPS depth-profiling measurement that metallic Al diffuses into the cathode electrode, and that the fraction of oxidized Mg decreases gradually from the interface but extended very deep into the cathode.
机译：有机/阴极界面在有机发光二极管（OLED）的器件性能下降中起着重要作用。使用X射线光电子能谱（XPS）对OLED中的8-羟基喹啉铝（Alq）和Mg：Ag阴极之间的界面进行了一段时间的操作。真空剥离法用于分离掩埋界面。 XPS结果表明Alq分子分解，导致在界面处形成片段化的羟基喹啉基，Mg氧化物和金属Al。通过XPS深度剖析测量还发现，金属Al扩散到阴极电极中，氧化Mg的比例从界面逐渐降低，但一直延伸到阴极极深。

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