【24h】

Imaging, Structural and Chemical Analysis of Silicon Nanowires

机译:硅纳米线的成像,结构和化学分析

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摘要

Laser ablation has been used to grow silicon nanowires with an average diameter of 6.7 nm +- 2.7 nm surrounded by an amorphous SiO_x sheath of 1-2 nm. This paper reports the imaging, chemical and structural analysis of these wires. Due to the growth temperature and the presence of calcium impurities and trace oxygen, two distinct types of wires are found. They appear to grow by two different processes. One requires a metal catalyst, the other is catalyzed by oxygen.
机译:激光烧蚀已被用于生长平均直径为6.7 nm±2.7 nm的硅纳米线,并被1-2 nm的非晶SiO_x护套包围。本文报告了这些导线的成像,化学和结构分析。由于生长温度以及钙杂质和痕量氧的存在,发现了两种不同类型的导线。它们似乎通过两个不同的过程增长。一种需要金属催化剂,另一种需要氧气催化。

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