首页> 外文会议>Symposium on Quantum Confined Semiconductor Nanostructures Dec 2-5, 2002 Boston, Massachusetts, U.S.A. >Quantitative V-L-S Growth Model and Experiments of Fe Catalyzed Si Nanowire Formation
【24h】

Quantitative V-L-S Growth Model and Experiments of Fe Catalyzed Si Nanowire Formation

机译:Fe催化Si纳米线形成的定量V-L-S生长模型和实验

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

We report the formation of Si nanowires (SiNWs) by vapor-liquid-solid (V-L-S) mechanism where Si atoms are pumped from Si wafer. This happens when a material has the large difference of activity in its pure (Si) and alloy state (Si-Fe). We developed a kinetic model to quantitatively describe the growth of the nanowires. The model predicts that the length of the nanowires increases linearly with the growth time.
机译:我们报告了通过汽-液-固(V-L-S)机制形成的硅纳米线(SiNWs),其中硅原子是从硅晶片中抽出的。当材料在纯态(Si)和合金态(Si-Fe)中具有很大的活性差异时,就会发生这种情况。我们开发了一个动力学模型来定量描述纳米线的生长。该模型预测纳米线的长度随生长时间线性增加。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号