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首页> 外文会议>Symposium on Quantum Confined Semiconductor Nanostructures Dec 2-5, 2002 Boston, Massachusetts, U.S.A. >Polarization Anisotropy in Electroreflectance Spectrum of Porous Silicon
【24h】

Polarization Anisotropy in Electroreflectance Spectrum of Porous Silicon

机译：多孔硅的电反射光谱中的极化各向异性

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Linearly polarized electroreflectance (ER) measurements have been firstly performed on Psi with near-normal incident (NNI) and glancing-angle incident (GAI) light. In the NNI geometry, no significant polarization anisotropy is observed. Meanwhile, in GAI geometry, a clear polarization anisotropy is observed. The s-polarized ER spectrum consists of the ER features corresponding to those found in the NNI geometry, while in the p-polarized ER spectrum, the two features found in s-polarized spectrum in infrared-visible region are not found, while a new feature is observed at ～2.1 eV. The mechanism of the unusual polarization anisotropy is discussed in association with structural anisotropy of Psi.
机译：线性偏振电反射（ER）测量首先是在Psi上使用接近法向入射（NNI）和掠射角入射（GAI）的光进行的。在NNI几何中，没有观察到明显的极化各向异性。同时，在GAI几何形状中，观察到清晰的极化各向异性。 s极化ER光谱由对应于NNI几何中发现的ER特征组成，而在p极化ER光谱中，在红外可见区域中未找到s极化光谱中的两个特征。在〜2.1 eV处观察到该特征。结合Psi的结构各向异性讨论了异常极化各向异性的机理。

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