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首页> 外文会议>Symposium on Radiation Effects and Ion-Beam Processing of Materials; 20031201-20031205; Boston,MA; US >Ge Nanocrystal Formed Directly by High-Dose-Ion-Implantation and the Related UV-VIS Photoluminescence
【24h】

Ge Nanocrystal Formed Directly by High-Dose-Ion-Implantation and the Related UV-VIS Photoluminescence

机译：高剂量离子注入直接形成的Ge纳米晶体及相关的UV-VIS光致发光

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The investigation of nanocrystalline Ge (nc-Ge) directly prepared with high dose Ge ion implantation of 1 X 10~(16), 1 X 10~(17), 5 X 10~(17) and 1 X 10~(18)cm~(-2) respectively without subsequent annealing is presented in this paper. The specimens were measured by means of GIXRD, LRS and PL. The results show the nc-Ge, which possesses strong compressive stress, can be fabricated when the implanting dose of Ge ions is over the threshold dose～1 X 10~(17) cm~(-2). The content and size of nc-Ge will enlarge with increasing dose. The nc-Ge formation mechanism may be the Ge atoms in the amorphous Ge (a-Ge) clusters, which are formed through the aggregation of implanted Ge ions, obtain energy from the instant local annealing zone induced by the incident Ge ion and reconstruct to nc-Ge existing in a-Ge clusters. The PL results indicate the strong PL peaks centered at about 295, 400 and 570 nm can be observed in implanted samples. The intensity of these PL peaks increases with increasing dose. The related PL mechanism in Ge-ion-implanted SiO_2 film has also been discussed.
机译：高剂量Ge离子注入1 X 10〜（16），1 X 10〜（17），5 X 10〜（17）和1 X 10〜（18）直接制备的纳米晶Ge（nc-Ge）的研究本文提出了不进行后续退火的cm〜（-2）。通过GIXRD，LRS和PL测量样品。结果表明，当Ge离子注入剂量大于阈值剂量〜1 X 10〜（17）cm〜（-2）时，可以制备出具有较强压应力的nc-Ge。 nc-Ge的含量和尺寸将随着剂量的增加而增大。 nc-Ge的形成机理可以是非晶Ge（a-Ge）团簇中的Ge原子，它们是通过注入的Ge离子的聚集形成的，从入射Ge离子诱导的瞬时局部退火带中获取能量，并重构为存在于a-Ge集群中的nc-Ge。 PL结果表明，在植入的样品中可以观察到以295、400和570 nm为中心的强PL峰。这些PL峰的强度随剂量增加而增加。还讨论了锗离子注入SiO_2薄膜中的相关PL机理。

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