离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究

董利菲; 郝秋艳; 刘彩池

首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究

离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

将Si离子注入到热氧化生长的SiO2层,分别进行常规退火和快速退火制得含纳米晶硅薄膜。在室温下测量了样品的光致发光谱及其与退火温度的关系。实验结果表明,在900℃以上退火,可观察到纳米Si的发生;在1100℃下退火,纳米Si发光达到最强。由常规退火和快速退火样品的光致发光光谱的对比得出快速退火对纳米Si发光有增强的作用。对发光机制进行了探讨,认为其发光机理可归结为纳米Si/SiO2界面处Si=O键引起的发光。

著录项

来源
《半导体技术》 |2008年第s1期|276-279|共4页
作者
董利菲; 郝秋艳; 刘彩池;
展开▼
作者单位

河北工业大学信息功能材料研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TB383.1;
关键词
离子注入; 纳米晶硅; 光致发光;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 用MEVVA低能离子注入制备表层SiC/Si异质结构及其室温的光致发光特性 [J] . 王莉 ,赵艳娥 ,赵福利 . 发光学报 . 2005,第005期
2. 射频磁控溅射制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜及其光致发光特性 [J] . 郭亨群 ,杨琳琳 ,王启明 . 功能材料 . 2006,第011期
3. SiO_2纳米线簇、C-Si-O纳米球的制备及形貌、红外光谱和光致发光光谱研究 [J] . 郑立仁 ,黄柏标 ,尉吉勇 . 物理学报 . 2009,第012期
4. ZnO纳米棒与纳米管的制备及光致发光特性研究 [J] . 刘文军 ,孟宪权 ,郑毅 . 大众科技 . 2010,第005期
5. 离子注入Zn的Si(001)基片热氧化制备纳米ZnO团簇及其生长行为研究 [J] . 付伟佳 ,刘志文 ,刘明 . 物理学报 . 2009,第008期
6. 离子注入制备的纳米硅光致发光特性研究 [C] . 董利菲 ,郝秋艳 ,刘彩池 . 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2008
7. 用离子注入法制备的纳米硅的光致发光特性研究 [A] . 张健 . 2003

离子注入制备的纳米Si光致发光特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅