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首页> 外文会议>Symposium on Silicon Front-End Junction Formation Technologies, Apr 2-4, 2002, San Francisco, California >Non-routine Dopant, Impurity and Stoichiometry Characterization of SiGe, SiON and Ultra-low Energy B-implanted Si Using Secondary Ion Mass Spectrometry
【24h】

Non-routine Dopant, Impurity and Stoichiometry Characterization of SiGe, SiON and Ultra-low Energy B-implanted Si Using Secondary Ion Mass Spectrometry

机译：二次离子质谱法对SiGe，SiON和超低能B注入的Si的非常规掺杂剂，杂质和化学计量学表征

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New, non-routine metrology issues are addressed for three kinds of materials and processes that are necessary for the fabrication of ultra-high speed devices. We look at the problems and solutions for measuring both sloichiometry and dopant content of SiGe material when using Cs primary ion bombardment. We examine the challenges of determining the N content of ultra-thin SiON gate dielectrics with emphasis on what will be necessary for the measurement of 1nm thick oxides. And finally we show some promising early results of using a new protocol for measuring ULE B ion implant profiles in the top 3nm with emphasis on obtaining a more realist profile shape in this region for TCAD modeling purposes.
机译：针对超高速设备制造所需的三种材料和工艺，解决了新的非常规计量问题。我们着眼于在使用Cs一次离子轰击时测量SiGe材料的化学计量和掺杂剂含量的问题和解决方案。我们重点研究确定1nm厚氧化物的测量所必需的挑战，以确定超薄SiON栅极电介质的N含量。最后，我们展示了使用新协议测量顶部3nm处的ULE B离子注入轮廓的一些有希望的早期结果，重点是为了TCAD建模目的在该区域获得更逼真的轮廓形状。

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