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首页> 外文会议>Symposium on Structure and Mechanical Properties of Nanophase Materials- Theory and Computer Simulation vs. Experiment Nov 28-30, 2000, Boston, Massachusetts, U.S.A. >Simulation of Positron Characteristics in Nanocrystalline Materials
【24h】

Simulation of Positron Characteristics in Nanocrystalline Materials

机译：纳米晶材料中正电子特性的模拟

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The theoretical calculations of the positron response to different types of defects can be very helpful in order to interpret properly positron measurements. In this contribution a new computational technique to determine positron properties in nanocrystalline materials is presented. In such calculations we employ the realistic models of n-materials obtained using molecular dynamics. The new technique is based on the so-called atomic superposition method where atomic densities are superimposed in a selected region of the model (virtual) sample to approximate the electron density of the, system. We study the virtual samples of n-Cu, n-Ni, n-NiAl, and n-Ni_3Al, for which we calculate positron lifetimes and positron binding energies corresponding to defects located in selected regions of the samples. The regions of interest for positron calculations comprise grain boundaries including triple points, nano-voids, and bulk-like regions.
机译：为了正确解释正电子测量值，对不同类型缺陷的正电子响应的理论计算可能非常有帮助。在这项贡献中，提出了一种确定纳米晶材料中正电子性质的新计算技术。在这种计算中，我们采用了使用分子动力学获得的n材料的逼真的模型。新技术基于所谓的原子叠加方法，其中原子密度叠加在模型（虚拟）样本的选定区域中，以近似系统的电子密度。我们研究了n-Cu，n-Ni，n-NiAl和n-Ni_3Al的虚拟样品，为此我们计算了与位于样品选定区域中的缺陷相对应的正电子寿命和正电子结合能。用于正电子计算的目标区域包括晶界，包括三点，纳米空隙和块状区域。

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