Assessment of transport parameters for the design of high speed Si/SiGe HBTs with compositionally graded base

机译：评估具有梯度成分的高速Si / SiGe HBT的传输参数

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In heterojunction bipolar transistors current gain cut-off frequencies f_(max). A way out of this trade-off is to accelerate minority carriers by using a graded or step base structure. Besides their potential to keep transit times low such sophisticated HBT structures may show, in addition, an active behaviour above the cut-off frequencies due to the transit time effect which is commonly ignored in bipolar transistors. A key parameter for that is the minority diffusion constant of electronis in the SiGe base. Our experimental study on this parameter in the present work indicates a value that is above that of minority carrier transport in pure silicon.

机译：在异质结双极晶体管中，电流增益截止频率f_（max）。避免这种折衷的方法是通过使用分级或阶梯式基础结构来加速少数族裔。除了其使传输时间保持较低的潜力外，这种复杂的HBT结构还可能显示出由于传输时间效应而在截止频率以上产生的主动行为，而双极晶体管通常会忽略这种行为。关键参数是SiGe基中电子的少数扩散常数。我们在当前工作中对该参数的实验研究表明，该值高于纯硅中少数载流子传输的值。

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来源
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》|1998年|p.137-140|共4页
会议地点 Strasbourg(FR)
作者
J. Weller; H. Jorke; K. Strohm; J.-F. Luy; H. Kibbel; H.-J. Herzog; R. Sauer;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
关键词
Si/SiGe heterojunction bipolar transistor; Minority diffusion constant;

机译：Si / SiGe异质结双极晶体管；少数扩散常数;

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