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1.
Shape, size, strain and correlations in quantum dot systems studied by grazing incidence X-ray scattering methods
机译:
通过掠入射X射线散射方法研究量子点系统中的形状,大小,应变和相关性
作者:
T.H. Metzger
;
I. Kegel
;
R. Paniago
;
A. Lorke
;
J. Peisl
;
J. Schulze
;
I. Eisele
;
P. Schittenhelm
;
G. Abstreiter
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
X-ray scattering;
Quantum dots;
Semiconductor nanostructures;
Self-assembled grwoth;
2.
Epitaxial zirconia films on sapphire substrates
机译:
蓝宝石衬底上的外延氧化锆膜
作者:
C. Mary
;
R. Guinebretiere
;
G. Trolliard
;
B. Soulestin
;
P. Villechaize
;
A. Dauger
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Epitaxial zirconia films;
Sapphire substrates;
3.
Dynamical properties of trions and excitons in modulation doped CdTe/CdMgZnTe quantum wells
机译:
调制掺杂的CdTe / CdMgZnTe量子阱中tri和激子的动力学性质
作者:
D. Brinkmann
;
J. Kudrna
;
E. Vanagas
;
P. Gilliot
;
R. Levy
;
A. Arnoult
;
J. Cibert
;
S. Tatarenko
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Trions;
Excitons;
Modulation doped quantum wells;
CdTe;
Time-resolved photoluminescence;
Four-wave mixing;
4.
X-ray diffraction analysis of strain relaxation in free standing and buried GaAs/GaInAs/GaAs SQW lateral structures
机译:
独立式和埋藏式GaAs / GaInAs / GaAs SQW横向结构中应变松弛的X射线衍射分析
作者:
N. Darowski
;
U. Pietsch
;
K.-H. Wang
;
A. Forchel
;
Q. Shen
;
S. Kycia
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
High-resolution X-ray diffraction;
Grazing incidence diffraction;
GaAs/Ga_(0.86)In_(0.14)As/GaAs;
Single quantum well;
5.
Low-energy electron microscopy of nanoscale three-dimensional SiGe islands on Si(100)
机译:
Si(100)上的纳米级三维SiGe岛的低能电子显微镜
作者:
P. Sutter
;
E. Mateeva
;
J.S. Sullivan
;
M.G. Lagally
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Epitaxial growth;
Three-dimensional SiGe islands;
Si(100);
Low-energy electron microscopy;
6.
Ion assisted MBE growth of SiGe nanostructures
机译:
离子辅助MBE生长SiGe纳米结构
作者:
M. Bauer
;
M. Oehme
;
K. Lyutovich
;
E. Kasper
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Ion assisted molecular beam epitaxy (IAMBE);
Relaxed SiGe buffer layers;
Virtual substrate;
Ion bombardment;
Point defects;
Threading dislocations;
7.
Hole mobilities in pseudomorphic Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloy layers
机译:
伪晶Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金层中的空穴迁移率
作者:
R. Duschl
;
H. Seeberger
;
K. Eberl
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Silicon compounds;
Transport properties;
Pseudomorphic SiGeC;
Boron activation energy;
8.
Growth of Ge on H-terminated Si(111) surface
机译:
锗在H末端Si(111)表面上的生长
作者:
K. Ishii
;
H. Kuriyama
;
K. Ezoe
;
T. Yamamoto
;
M. Ikeda
;
S. Matsumoto
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Si(111);
Ge-film growth;
Hydrogen atom terminated Si;
Scanning tunneling microscopy;
Critical thickness;
9.
Raman and photoreflectance studies of electronic band bending at ZnSe/GaAs interfaces
机译:
ZnSe / GaAs界面电子带弯曲的拉曼和光反射研究
作者:
O. Pages
;
H. Erguig
;
V. Wagner
;
A. Zaoui
;
J.P. Laurenti
;
J. Gueurts
;
H. Aourag
;
R.L. Aulombard
;
M. Certier
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
ZnSe;
Heterostructures;
Raman spectroscopy;
Photoreflectance;
10.
Self-aggregation of InAs quantum dots on (N11) GaAs substrates
机译:
(N11)GaAs衬底上InAs量子点的自聚集
作者:
S. Sanguinetti
;
S.C. Fortina
;
A. Miotto
;
E. Grilli
;
M. Guzzi
;
M. Henini
;
A. Polimeni
;
L. Eaves
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Self-aggregation;
InAs quantum dots;
(N11) GaAs;
11.
The growth kinetics of Si_(1-x)Ge_x layers from SiH_4 and GeH_4
机译:
SiH_4和GeH_4的Si_(1-x)Ge_x层的生长动力学
作者:
A.V. Potapov
;
L.K. Orlov
;
S.V. Ivin
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
SiH_4;
GeH_4;
Growth kinetics;
Model;
Numerical simulation;
12.
Self organization of Ge dots on Si substrates: influence of misorientation
机译:
Si衬底上Ge点的自组织:取向错误的影响
作者:
M. Abdallah
;
I. Berbezier
;
P. Dawson
;
M. Serpentini
;
G. Bremond
;
B. Joyce
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Self organization;
Si substrates;
Misorientation;
13.
Role of hydrogen during Si capping of strained Ge or Si_(1-x)Ge_x hut clusters
机译:
氢在应变Ge或Si_(1-x)Ge_x小屋簇的Si封盖过程中的作用
作者:
D. Dentel
;
J.L. Bischoff
;
L. Kubler
;
D. Bolmont
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Molecular beam epitaxy;
Silicon;
Germanium;
Hydrogen;
Surface diffusion;
Reflection high-energy electron diffraction;
14.
RF-sputtering deposition of Al/Al_2O_3 multilayers
机译:
射频溅射沉积Al / Al_2O_3多层膜
作者:
Le Paven-Thivet
;
C. Malibert
;
Ph. Houdy
;
P.A. Albouy
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
RF-sputtering;
Al/Al_2O_3 multilayers;
Scanning electronic microscopy;
X-ray diffraction;
15.
Relation of initial thin film formation to defects induced by low energy ions
机译:
初始薄膜形成与低能离子诱发的缺陷的关系
作者:
H.-A. Durand
;
K. Sekine
;
K. Etoh
;
K. Ito
;
I. Kataoka
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Ultra high vacuum scanning tunneling microscope;
Thin films;
Low energy ions;
16.
Simulation of a non-invasive charge detector for quantum cellular automata
机译:
用于量子细胞自动机的非侵入性电荷检测器的仿真
作者:
G. Iannaccone
;
C. Ungarelli
;
M. Macucci
;
E. Amirante
;
M. Governale
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Non-invasive charge detector;
Quantum cellular automata;
17.
Strong surface segregation of Sb atoms at low temperatures during Si molecular beam epitaxy
机译:
Si分子束外延过程中低温下Sb原子的强表面偏析
作者:
Z.M. Jiang
;
C.W. Pei
;
L.S. Liao
;
X.F. Zhou
;
X.J. Zhang
;
Xun Wang
;
Q.J. Jia
;
X.M. Jiang
;
Z.H. Ma
;
Terry Smith
;
I.K. Sou
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Surface segregation;
X-ray reflectivity;
Molecular beam epitaxy;
18.
Study of InAs quantum dots in GaAs prepared on misoriented substrates
机译:
在取向错误的衬底上制备的GaAs中InAs量子点的研究
作者:
J. Oswald
;
E. Hulicius
;
V. Vorlicek
;
J. Pangrac
;
K. Melichar
;
T. Simecek
;
G. Lippold
;
V. Riede
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Quantum dots;
Photoluminescence;
Raman spectroscopy;
19.
STM study of step graded Si_(1-x)Ge_x/Si(001) buffers
机译:
逐步分级Si_(1-x)Ge_x / Si(001)缓冲液的STM研究
作者:
M. Kummer
;
B. Vogeli
;
H. Von Kanel
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Scanning tunneling microscopy;
Graded silicon germanium buffers;
Cross-hatch;
Misfit dislocations;
20.
Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si:progress in growth and electrical characterization
机译:
表面活性剂介导的锗在硅上的外延:生长和电学表征的进展
作者:
M. Kammler
;
D. Reinking
;
K.R. Hofmann
;
M. Horn-von Hoegen
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Molecular beam epitaxy;
Surfactant;
Hall mobility;
Capacitance-voltage;
Ge;
Si(111);
Sb;
Doping;
Segregation;
Heteroepitaxy;
SiGe;
21.
Spectroscopic study of nanocrystalline TiO_2 thin films grown by atomic layer deposition
机译:
原子层沉积法制备纳米TiO_2薄膜的光谱研究
作者:
A. Suisalu
;
J. Aarik
;
H. Mandar
;
I. Sildos
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Nanostructurures;
Luminescence;
Structural properties;
Titanium oxide;
22.
The influence of growth temperature on the period of RHEED oscillations during MBE of Si and Ge on Si(111) surface
机译:
生长温度对Si(111)表面Si和Ge的MBE过程中RHEED振荡周期的影响
作者:
A.I. Nikiforov
;
V.A. Markov
;
V.A. Cherepanov
;
O.P. Pchelyakov
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
MBE;
RHEED;
Growth;
Si;
Ge;
Oscillations;
23.
The influence of carbon on the surface morphology of Si(100) and on subsequent Ge island formation
机译:
碳对Si(100)表面形貌及其后续Ge岛形成的影响
作者:
R. Butz
;
H. Luth
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Surface morphology;
Silicon;
Germanium;
Epitaxy;
Scanning tunnelling microscopy;
24.
TEM study of InAs self-assembled quantum dots in GaAs
机译:
GaAs中InAs自组装量子点的TEM研究
作者:
E. Muller
;
E. Ribeiro
;
T. Heinzel
;
K. Ensslin
;
G. Medeiros-Ribeiro
;
P.M. Petroff
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
InAs/GaAs;
Self-assembled quantum dots;
Transmission electron microscopy;
Electrical transport;
25.
TEM investigation of the dependence of structural defects on prelayer formation in GaAs-on-Si thin films
机译:
硅基砷化镓薄膜中结构缺陷对预层形成的依赖性的透射电镜研究
作者:
Ch. B. Lioutas
;
A. Delimitisi
;
A. Georgakilas
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Transmission electron microscopy;
Molecular beam epitaxy;
Structural properties;
Optoelectronic devices;
26.
Lateral ordering of self-assembled Ge islands
机译:
自组装锗岛的横向排序
作者:
Jian-hong Zhu
;
K. Brunner
;
G. Abstreiter
;
O. Kienzle
;
F. Ernst
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Self-ordering;
Ge island;
Vicinal surface;
Step-bunching;
Molecular beam epitaxy;
Atomic force microscopy;
27.
Tunnelling currents in very narrow P~+-n~+ junctions
机译:
在非常狭窄的P〜+ -n〜+结中的隧道电流
作者:
G. Reitemann
;
E. Kasper
;
H. Kibbel
;
H. Jorke
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Tunnelling;
Temperature behaviour of Esaki current;
Influence of external ohmic load;
C-V measurement;
28.
The vertical heterojunction MOSFET
机译:
垂直异质结MOSFET
作者:
Kristin De Meyer
;
Matty Caymax
;
Nadine Collaert
;
Roger Loo
;
Peter Verheyen
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Drain induced barrier lowering (DIBL);
Metal oxide semiconductor;
29.
The determination of e_(14) in (111)B-grown (In,Ga)As/GaAs strained layers
机译:
(111)B生长的(In,Ga)As / GaAs应变层中e_(14)的确定
作者:
P. Ballet
;
P. Disseix
;
J. Leymarie
;
A. Vasson
;
A-M. Vasson
;
R. Grey
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Thermally-detected optical absorption;
Multiple quantum wells;
(In,Ga)As/GaAs layers;
30.
Defect distribution and morphology development of SiGe layers grown on Si(100) substrates by LPE
机译:
LPE在Si(100)衬底上生长的SiGe层的缺陷分布和形貌发展
作者:
A.M. Sembian
;
M. Konuma
;
I. Silier
;
A. Gutjahr
;
N. Rollbuhler
;
F. Banhart
;
S. Moorthy Babu
;
P. Ramasamy
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Liquid phase epitaxy;
SiGe;
Relaxed layers;
Cross-hatch pattern;
Morphology;
Undulations;
31.
Correlation between the sign of strain and the surface morphology and defect structure of InAlAs grown on vicinal (111)BInP
机译:
应变的征兆与邻近(111)BInP上生长的InAlAs的表面形态和缺陷结构之间的相关性
作者:
A. Georgakilas
;
K. Tsagaraki
;
K. Harteros
;
Z. Hatzopoulos
;
Anna Vila
;
N. Becourt
;
F. Peiro
;
A. Cornet
;
N. Chrysanthakopoulos
;
M. Calamiotou
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Molecular beam epitaxy;
InAlAs;
Atomic force microscopy;
X-ray;
32.
Characterization of inhomogeneous films by multiple-angle ellipsometry
机译:
多角度椭圆偏振法表征不均匀薄膜
作者:
Stephane Colard
;
Martine Mihailovic
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Multiple-angle ellipsometry;
Refractive index;
Transparent films;
33.
Cluster-size distribution of SiGe alloys grown by MBE
机译:
MBE生长的SiGe合金的团簇尺寸分布
作者:
N. Pinto
;
R. Murri
;
R. Rinaldi
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
SiGe;
Heteroepitaxy;
Cluster-size distribution;
Scanning electron microscopy;
Atomic force microscopy;
34.
Assessment of transport parameters for the design of high speed Si/SiGe HBTs with compositionally graded base
机译:
评估具有梯度成分的高速Si / SiGe HBT的传输参数
作者:
J. Weller
;
H. Jorke
;
K. Strohm
;
J.-F. Luy
;
H. Kibbel
;
H.-J. Herzog
;
R. Sauer
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Si/SiGe heterojunction bipolar transistor;
Minority diffusion constant;
35.
Epitaxial growth at high rates with LEPECVD
机译:
利用LEPECVD以高速率外延生长
作者:
C. Rosenblad
;
T. Graf
;
J. Stangl
;
Y. Zhuang
;
G. Bauer
;
J. Schulze
;
H. Von Kanel
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Chemical vapor deposition;
Plasma enhanced chemical vapor deposition;
SiGe;
Relaxed buffer;
36.
Epitaxial growth of LiNbO_3 on #alpha#Al_2O_3(0001)
机译:
LiNbO_3在#alpha#Al_2O_3(0001)上的外延生长
作者:
Franck Veignant
;
Madeleine Gandais
;
Pascal Aubert
;
Guy Garry
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Pulsed laser deposition;
Transmission electron microscopy;
LiNbO_3;
#alpha#Al_2O_3;
Thin film growth;
Strains;
37.
Electrical properties of HgCdTe films obtained by laser deposition
机译:
通过激光沉积获得的HgCdTe薄膜的电学性质
作者:
G. Wisz
;
I. Virt
;
M. Kuzma
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
HgCdTe films;
Pulse laser deposition;
Photoconductivity;
Hall coefficient;
38.
Formation of zero-dimensional hole states in Ge/Si heterostructures probed with capacitance spectroscopy
机译:
电容光谱探测Ge / Si异质结构中零维空穴态的形成
作者:
A.I. Yakimov
;
A.V. Dvurechenskii
;
A.I. Nikiforov
;
O.P. Pchelyakov
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Capacitance spectroscopy;
Quantum dots;
Silicon;
Germanium;
39.
Fabrication and electrical properties of sol-gel derived (BaSr)TiO_3 thin films with metallic LaNiO_3 electrode
机译:
具有金属LaNiO_3电极的溶胶凝胶衍生(BaSr)TiO_3薄膜的制备和电学性能
作者:
Di Wu
;
Aidong Li
;
Zhiguo Liu
;
Huiqin Ling
;
Chuan Zhen Ge
;
Xiaoyong Liu
;
Hong Wang
;
Min Wang
;
Peng Lu
;
Naiben Ming
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
BST thin film;
LaNiO_3;
Sol-gel processing;
Metal-organic decomposition;
40.
Growth of solution cast macromolecular #pi#-conjugated nanoribbons on mica
机译:
溶液浇铸大分子#pi#共轭纳米带在云母上的生长
作者:
P. Samori
;
V. Francke
;
K. Mullen
;
J.P. Rabe
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Supramolecular architecture;
Growth;
Molecular electronics;
Scanning force microscopy;
Self-assembly;
Molecular nanowire;
41.
Oscillatoric bias dependence of DC-electric field induced second harmonic generation from Si-SiO_2 multiple quantum wells
机译:
Si-SiO_2多量子阱中直流电场引起的二次谐波的振荡偏置依赖性
作者:
V.V. Savkin
;
A.A. Fedyanin
;
F.A. Pudonin
;
A.N. Rubtsov
;
O.A. Aktsipetrov
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Multiple quantum wells;
Second harmonic generation;
DC-electric field effects;
42.
Optimization of the channel doping profile of vertical sub-100 nm MOSFETs
机译:
垂直亚100 nm MOSFET的沟道掺杂分布的优化
作者:
F. Kaesen
;
C. Fink
;
K.G. Anil
;
W. Hansch
;
T. Doll
;
T. Grabolla
;
H. Schreiber
;
I. Eisele
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Molecular beam epitaxy;
Modulation-doped field effect transistors;
43.
Photoluminescence of self-assembled Ge dots grown by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition
机译:
超高真空化学气相沉积法生长自组装Ge点的光致发光
作者:
P. Boucaud
;
V. Le Thanh
;
S. Sauvage
;
D. Debarre
;
D. Bouchier
;
J.-M. Lourtiox
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Chemical vapor deposition;
Self-assembled quantum dots;
Photoluminescence;
Metastable precursor clusters;
44.
Photoluminescence studies of As-P exchange in GaAs/GaInP_2 quantum wells grown by chemical beam epitaxy
机译:
化学束外延生长GaAs / GaInP_2量子阱中As-P交换的光致发光研究
作者:
A. Aurand
;
J. Leymarie
;
A. Vasson
;
A.M. Vasson
;
M. Mesrine
;
C. Deparis
;
M. Leroux
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Photoluminescence;
As-P exchange;
GaAs/GaInP_2 quantum wells;
Chemical beam epitaxy;
45.
New virtual substrate concept for vertical MOS transistors
机译:
垂直MOS晶体管的新虚拟衬底概念
作者:
Erich Kasper
;
Klara Lyutovich
;
Matthias Bauer
;
Michael Oehme
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Virtual substrate;
Thin relaxed SiGe buffer layer;
Point defects;
Ion bombardment;
Very low temperature growth;
Threading dislocations;
46.
Domain wall splitting and creation of the fine domain structure
机译:
畴壁分裂和精细结构的创建
作者:
Simon Dorfman
;
David Fuks
;
Alex Gordon
;
Eugene Kotomin
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Perovskites;
Solid solutions;
Domain wall;
47.
Diffusion of Cd, Mg and S in ZnSe-based quantum well structures
机译:
Cd,Mg和S在ZnSe基量子阱结构中的扩散
作者:
M. Stra#beta#burg
;
M. Kuttler
;
U.W. Pohl
;
D. Bimberg
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
II-VI semiconductors;
Diffusion;
Cadmium;
Magnesium;
Sulfur;
48.
Two-dimensional and zero-dimensional structures of semimagnetic semiconductors prepared by pulsed laser deposition
机译:
脉冲激光沉积制备的半磁性半导体的二维和零维结构
作者:
A.I. Savchuk
;
I.D. Stolyarchuk
;
S.V. Medynskiy
;
A. Perrone
;
P.I. Nikitin
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Semimagnetic semiconductor;
Pulsed laser deposition;
Thin film;
Nanocrystal;
Faraday rotation;
49.
Thin tantalum pentoxide films deposited by photo-induced CVD
机译:
通过光诱导CVD沉积五氧化钽薄膜
作者:
Jun-Ying Zhang
;
Boon Lim
;
Ian W. Boyd
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Photo-induced chemical vapour deposition;
Eximer lamp;
Photodissociation;
Thin film;
Ta_2O_5;
Dielectric constant;
50.
Comparison of lateral and vertical Si-MOSFETs with ultra short channels
机译:
具有超短沟道的横向和纵向Si-MOSFET的比较
作者:
D. Behammer
;
M. Zeuner
;
T. Hackbarth
;
J. Herzog
;
M. Schafer
;
T. Grabolla
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Si-MOSFETs;
Ultra short channels;
51.
Composition and structure of Ge islands grown on Si(001) and of SiGe grown on Si mesa
机译:
Si(001)上生长的Ge岛和Si mesa上生长的SiGe的组成和结构
作者:
D.V. Regelman
;
V. Magidson
;
R. Beserman
;
K. Dettmer
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Materials;
Silicon;
Germanium;
Islands;
Mesa structures;
52.
Crystal microstructure of PbTe/Si and PbTe/SiO_2/Si thin films
机译:
PbTe / Si和PbTe / SiO_2 / Si薄膜的晶体微观结构
作者:
Yackov A. Ugai
;
Alexander M. Samoylov
;
Mihail K. Sharov
;
Albert V. Tadeev
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Lead telluride;
Thin films;
Microstructure;
X-ray analysis;
Etching pits;
Dislocation density;
53.
C-induced Ge dots: a versatile tool to fabricate ultra-small Ge nanostructures
机译:
C诱导的Ge点:制造超小Ge纳米结构的多功能工具
作者:
O.G. Schmidt
;
C. Lange
;
K. Eberl
;
O. Kienzle
;
F. Ernst
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Ge islands;
SiGeC;
Quantum dots;
Microstructures;
Vertical alignment;
Hut clusters;
54.
Coalescence of germanium islands on silicon
机译:
硅上锗岛的合并
作者:
Claus Schollhorn
;
Michael Oehme
;
Matthias Bauer
;
Erich Kasper
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Germanium islands;
Variation of temperature;
High deposition rate;
Surface morphology;
Molecular beam epitaxy;
Atomic force microscope;
55.
Carrier mobilities in modulation doped Si_(1-x)Ge_x heterostructures with respect to FET applications
机译:
关于FET应用的调制掺杂Si_(1-x)Ge_x异质结构中的载流子迁移率
作者:
G. Hock
;
M. Gluck
;
T. Hackbarth
;
H.-J. Herzog
;
E. Kohn
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Silicon;
Germanium;
Mobility;
56.
Allotaxy in the Ni-Si system
机译:
镍硅系统中的同素异形
作者:
S. Teichert
;
M. Falke
;
H. Giesler
;
G. Beddies
;
H.J. Hinneberg
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Allotaxy;
Ni;
Si;
Transmission electron spectroscopy;
57.
Annealing of CaF_2 adlayers grown on Si(111): investigations of the morphology by atomic force microscopy
机译:
Si(111)上生长的CaF_2附加层的退火:原子力显微镜研究形态
作者:
Joachim Wollschlager
;
Holger Pietsch
;
Robert Kayser
;
Andreas Klust
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
CaF_2;
Adlayers;
Si(111);
Atomic force microscopy;
58.
Early stages of growth and nanostructure of Pb(Zr,Ti)O_3 thin films observed by atomic force microscopy
机译:
原子力显微镜观察Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的生长早期和纳米结构
作者:
F. Craciun
;
P. Verardi
;
M. Dinescu
;
F. Dinelli
;
O. Kolosov
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Piezoelectric thin films;
Pulsed laser deposition;
Atomic force microscopy;
Nanostructure;
Kinetic roughening;
59.
Formation of highly uniform InGaAs ridge quantum wires by selective molecular beam epitaxy on novel InP patterned substrates
机译:
通过选择性分子束外延在新型InP图案化衬底上形成高度均匀的InGaAs脊量子线
作者:
Hajime Fujikura
;
Michio Kihara
;
Hideki Hasegawa
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
InGaAs ridge quantum wire;
Selective molecule beam epitaxy;
Uniformity;
Pattern geometry;
Scanning electron microscopy;
Cathodoluminescence;
60.
Optical pumping in strained In_xGa_(1-x)As/GaAs quantum wells
机译:
In_xGa_(1-x)As / GaAs量子阱中的光泵浦
作者:
F. Hassen
;
H. Sghaier
;
H. Maaref
;
R. Murray
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Strain induced effects;
Quantum wells;
61.
Optical on wafer measurement of Ge content of virtual SiGe-substrates
机译:
晶圆上光学测量虚拟SiGe基板的Ge含量
作者:
Michael Oehme
;
Matthias Bauer
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Si-MBE;
Virtual substrate;
SiGe;
Ge-content;
Optical reflectivity;
62.
Orientation of aluminum nuclei on Si(100) and Si(111)
机译:
铝核在Si(100)和Si(111)上的取向
作者:
C. Bisch
;
E. Boellaard
;
G.C.A.M. Janssen
;
P.F.A. Alkemade
;
S. Radelaar
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Aluminum;
Chemical vapor deposition;
Dimethyl aluminum hydride;
Si(100);
Si(111);
63.
Morphology and photoluminescence of Ge islands grown on Si(001)
机译:
Si(001)上生长的Ge岛的形貌和光致发光
作者:
Michael Goryll
;
Lili Vescan
;
Hans Luth
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Si;
Ge islands;
Chemical vapour deposition;
Selforganizing growth;
Photoluminescence;
64.
The influence of stress on growth instabilities on Si substrates
机译:
应力对硅衬底上生长不稳定性的影响
作者:
L. Lapena
;
I. Berbezier
;
B. Gallas
;
B. Joyce
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
65.
TEM studies of self-organization phenomena in CdSe fractional monolayers in a ZnSe matrix
机译:
TEM研究ZnSe基质中CdSe分数单层中的自组织现象
作者:
A. Sitnikova
;
S. Sorokin
;
I. Sedova
;
T. Shubina
;
A. Toropov
;
S. Ivanov
;
L. Falk
;
M. Willander
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
CdSe/ZnSe heterostructure;
Fractional monolayer;
Transmission electron microscopy;
Molecular beam epitaxy;
Migration enhanced epitaxy;
66.
TEM and AFM study of perovskite conductive LaNiO_3 films prepared by metalorganic decomposition
机译:
金属有机分解法制备钙钛矿型导电LaNiO_3薄膜的TEM和AFM研究
作者:
Aidong Li
;
Di Wu
;
Zhiguo Liu
;
Chuanzhen Ge
;
Xiaoyong Liu
;
Guoxin Chen
;
Naiben Ming
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Metalorganic decomposition;
LaNiO_3 film;
Morphology;
Transmission electron microscopy;
Atomic force microscopy;
67.
MgO surface microstructure and crystalline coherence of Co/Pt superlattices
机译:
Co / Pt超晶格的MgO表面微观结构和晶体相干性
作者:
P. Haibach
;
J. Koble
;
M. Huth
;
H. Adrian
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Epitaxial thin films;
Magnetic films and multilayers;
68.
Low temperature epitaxial growth of Si on Si(111) by gas-source MBE with heat-pulse annealing
机译:
气源MBE热脉冲退火在Si(111)上低温外延生长Si
作者:
T. Ishikawa
;
H. Okumura
;
T. Akane
;
M. Sano
;
S. Giraud
;
Y. Nakabayashi
;
S. Matsumoto
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Low temperature epitaxial growth;
Heat-pulse annealing Tapping-mode atomic force microscopy;
Ordered terraces;
Straight step edges;
69.
Magnetoluminescence measurements of two-dimensional hole gas
机译:
二维空穴气的磁致发光测量
作者:
M. Ciorga
;
L. Bryja
;
J. Misiewica
;
O.P. Hansen
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Photoluminescence;
Phottluminescence excitation;
H-band;
Al_xGa_(1-x)As/GaAs heteroniterface;
Diamagnetic shift;
70.
Influence of grown-in defects on the optical and electrical properties of Si/Si_(1-x)Ge_x/Si heterostructures
机译:
缺陷的生长对Si / Si_(1-x)Ge_x / Si异质结构的光学和电学性质的影响
作者:
R. Loo
;
M. Caymax
;
E. Simoen
;
D. Howard
;
M. Goryll
;
D. Klaes
;
L. Vescan
;
D. Gravesteijn
;
H. Pettersson
;
X. Zhang
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Si;
Chemical vapor deposition;
Heterostructures;
Photoluminescence;
2DHG;
Defects;
71.
Growth and magnetism of Co/NiO(111) thin films
机译:
Co / NiO(111)薄膜的生长和磁性
作者:
C. Mocuta
;
A. Barbier
;
G. Renaud
;
B. Dieny
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Single crystal epitaxy;
NiO;
X-ray diffraction;
Exchange coupling;
Antiferromagnet;
72.
Optical and electrical characterization of SiGe layers for vertical sub-100 nm MOS transistors
机译:
用于垂直以下100 nm MOS晶体管的SiGe层的光电特性
作者:
Xinhui Zhang
;
Peter Unelind
;
Mats Kleverman
;
Janos Olajos
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Photoluminescence;
Photocurrent;
Defects;
Molecular beam epitaxy;
Chemical vapor deposition;
SiGe/Si Heterostructures;
73.
Optical studies of carrier transport phenomena in CdSe/ZnSe fractional monolayer superlattices
机译:
CdSe / ZnSe分数单层超晶格中载流子输运现象的光学研究
作者:
T.V. Shubina
;
A.A. Toropov
;
S.V. Sorokin
;
S.V. Ivanov
;
P.S. Kopev
;
G.R. Pozina
;
J.P. Bergman
;
B. Monemar
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
CdSe/ZnSe;
Transport properties;
Fractional monolayer;
Superlattice;
74.
Pulsed laser deposition of SmBaCuO thin films
机译:
SmBaCuO薄膜的脉冲激光沉积
作者:
A. Di Trolio
;
A. Morone
;
S. Orlando
;
G. Cappuccio
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Pulsed laser deposition;
SmBaCuO;
Thin films;
75.
Silicon quantum integrated circuits - an attempt to fabricate silicon-based quantum devices using CMOS fabrication techniques
机译:
硅量子集成电路-尝试使用CMOS制造技术制造基于硅的量子器件
作者:
D.J. Paul
;
B. Coonan
;
G. Redmond
;
B.J. ONeill
;
G.M. Crean
;
B. Hollander
;
S. Mantl
;
I. Zozoulenko
;
K.-F. Berggren
;
J-L. Lazzari
;
F. Arnaud dAvitaya
;
J. Derrien
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Complementary metal oxide semiconductor;
SiGe;
Quantum devices;
Heterostructure field effect transistors;
76.
The growth of an intermediate CoSi phase during the formation of epitaxial CoSi_2 by solid phase reaction
机译:
固相反应在外延CoSi_2形成过程中中间CoSi相的生长
作者:
M. Falke
;
B. Gebhardt
;
G. Beddies
;
S. Teichert
;
H.-J. Hinneberg
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
CoSi;
Solid phase reaction;
Transmission electron microscopy;
77.
Retarded diffusion of boron in Si due to the formation of an epitaxial CoSi_2 layer
机译:
由于外延CoSi_2层的形成,硼在Si中的扩散缓慢
作者:
L. Kappius
;
H.L. Bay
;
S. Mantl
;
A.K. Tyagi
;
U. Breuer
;
J.S. Becker
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Boron diffusion;
Silicon;
Silicide;
Oxidation;
Doping superlattices;
78.
Selectively grown vertical Si MOS transistor with reduced overlap capacitances
机译:
选择性生长的垂直Si MOS晶体管,具有减小的重叠电容
作者:
D. Klaes
;
J. Moers
;
A. Tonnesmann
;
S. Wickenhauser
;
L. Vescan
;
M. Marso
;
T. Grabolla
;
M. Grimm
;
H. Luth
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Low pressure chemical vapour deposition;
Selective epitaxial growth;
MOS transistor;
Miller capacitance;
79.
Structural properties of Ge nano-crystals embedded in SiO_2 films from X-ray diffraction and Raman spectroscopy
机译:
X射线衍射和拉曼光谱分析嵌入SiO_2薄膜中的Ge纳米晶体的结构特性
作者:
A.G. Rolo
;
M.I. Vasilevskiy
;
O. Conde
;
M.J.M. Gomes
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Germanium;
Nanocrystals;
r.f.-sputtering;
X-ray diffraction;
Raman spectroscopy;
80.
Structural characterization of SiGe step graded buffer layers grown on prestructured Si001 substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在预构造Si 001衬底上生长的SiGe阶梯梯度缓冲层的结构表征
作者:
E. Muller
;
R. Hartmann
;
C. David
;
D. Grutzmacher
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Patterning;
Transmission electron microscopy;
SiGe step-graded buffer;
Dislocations;
81.
Epitaxial growth of ZnS on CdS in CdS/ZnS nanostructures
机译:
在CdS / ZnS纳米结构中CdS上ZnS的外延生长
作者:
C. Ricolleau
;
L. Audinet
;
M. Gandais
;
T. Gacoin
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
II-VI nanostructures;
CdS;
ZnS;
Core/shell;
High resolution electron microscopy;
82.
Structural studies of epitaxial PbTiO_3 films by optical second harmonic generation
机译:
光学二次谐波产生的外延PbTiO_3薄膜的结构研究
作者:
E.D. Mishina
;
N.E. Sherstyuk
;
T.V. Misyuraev
;
A.S. Sigov
;
A.M. Grishin
;
Th. Rasing
;
O.A. Aktsipetrov
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Second harmonic generation;
Epitaxial thin films;
Crystallographic structure;
Ferroelectrics;
83.
Determination of light amplification processes in MOCVD grown ZnCdSe GRINSCH structures
机译:
MOCVD生长的ZnCdSe GRINSCH结构中光放大过程的确定
作者:
I. Mikulskas
;
D. Brinkmann
;
K. Luterova
;
R. Tomasiunas
;
B. Honerlage
;
J.V. Vaitkus
;
R.L. Aulombard
;
T. Cloitre
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
GRINSCH structures;
ZnCdSe;
84.
Growth of III-V semiconductor layers on Si patterned substrates
机译:
在Si图案化衬底上生长III-V半导体层
作者:
T.Ya. Gorbach
;
R.Yu. Holiney
;
L.A. Matveeva
;
P.S. Smertenko
;
S.V. Svechnikov
;
E.F. Venger
;
R. Ciach
;
M. Faryna
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Si patterned substrates;
Pulse vacuum thermal deposition;
GaAs and GaP layers;
85.
Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys
机译:
SiGe合金在外延结构中位错图案的形成
作者:
T.G. Yugova
;
V.I. Vdovin
;
M.G. Milvidskii
;
L.K. Orlov
;
V.A. Tolomasov
;
A.V. Potapov
;
N.V. Abrosimov
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Films;
SiGe alloys;
Misfit dislocations;
Generation mechanisms;
86.
Dislocation half loop formation in GaSb/(001)GaAs islands and steps role: a Monte Carlo simulation
机译:
GaSb /(001)GaAs岛和台阶中位错半环的形成:蒙特卡罗模拟
作者:
J. Dalla Torre
;
M. Djafari Rouhani
;
G. Landa
;
A.M. Rocher
;
R. Malek
;
D. Esteve
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
Heteroepitaxy;
Modeling;
Dislocations;
Steps;
GaSb/GaAs interface;
87.
Valence band splitting in Cd_((1-x))Zn_xTe epilayers
机译:
Cd _((1-x))Zn_xTe外延层的价带分裂
作者:
K. Cohen
;
R. Beserman
;
S. Stolyarova
;
R. Weil
;
Y. Nemirovsky
会议名称:
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》
|
1998年
关键词:
CdZnTe;
Polarized PL;
Valence band splitting;
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