• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Thin films epitaxial growth and nanostructures >Retarded diffusion of boron in Si due to the formation of an epitaxial CoSi_2 layer
【24h】

Retarded diffusion of boron in Si due to the formation of an epitaxial CoSi_2 layer

机译：由于外延CoSi_2层的形成，硼在Si中的扩散缓慢

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The diffusion of boron in silicon with and without a 20-nm thick epitaxial CoSi_2 layer was investigated by secondary ion mass spectro-metry (SIMS) using doping superlattices (DSLs). For specimens without CoSi_2 layer, we observed oxidation enhanced diffusion (OED) of B in Si in accordance with the literature. However, B diffusion in silicide capped specimens was found to be retarded by about a factor of 20 as compared to specimens without a silicide layer. The measured diffusivity was even less than the intrinsic thermal diffusivity of B in Si.
机译：通过使用掺杂超晶格（DSLs）的二次离子质谱（SIMS）研究了具有和不具有20nm厚外延CoSi_2层的硼在硅中的扩散。对于没有CoSi_2层的样品，我们根据文献观察到B在Si中的氧化增强扩散（OED）。然而，与没有硅化物层的样品相比，发现在硅化物覆盖的样品中B扩散被抑制了约20倍。测得的扩散率甚至小于B在Si中的固有热扩散率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号