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首页> 外文会议>Thin films epitaxial growth and nanostructures >Self-aggregation of InAs quantum dots on (N11) GaAs substrates
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Self-aggregation of InAs quantum dots on (N11) GaAs substrates

机译：（N11）GaAs衬底上InAs量子点的自聚集

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We have fabricated InAs quantum dots on a wide range of substrate orientations with different coverages. We show that the range of GaAs substrate orientations capable of dot self-aggregation is quite wide and that substrate orientation heavily affects ground state electronic properties. We report the low temperature photoluminescence (PL) characterization of quantum dots grown on GaAs with InAs deposition on eight surfaces intermediate between (100) and (111), namely (N11)A/B GaAs substrates, where N ranges from 2 to 5, and on a (100) substrate chosen for comparison purposes. For each substrate orientation, three different amounts of InAs were deposited. At 2 K, all the samples show PL of evident quantum dot origin with an efficiency comparable to that of samples grown on (100) substrates. PL spectra show inhomo-geneously broadened, structured peaks in the 1.1-1.4 eV range. The quantum dots grown at low InAs coverages deserve a special interest because of their narrow (25 meV) emission linewidth.
机译：我们已经在具有不同覆盖率的各种衬底方向上制造了InAs量子点。我们表明，能够点自聚集的GaAs衬底取向范围很广，并且衬底取向严重影响基态电子性能。我们报告了在GaAs上生长的量子点的低温光致发光（PL）表征，其中InAs沉积在介于（100）和（111）之间的八个表面上，即（N11）A / B GaAs衬底，其中N的范围从2到5，在选择用于比较目的的（100）基板上。对于每种衬底取向，沉积三种不同量的InAs。在2 K下，所有样品均显示出明显的量子点起源的PL，其效率与在（100）衬底上生长的样品的效率相当。 PL光谱显示在1.1-1.4 eV范围内的非均相加宽结构峰。在InAs覆盖率低的情况下生长的量子点由于其窄的（25 meV）发射线宽而值得特别关注。

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