Orientation of aluminum nuclei on Si(100) and Si(111)

机译：铝核在Si（100）和Si（111）上的取向

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Aluminum has been deposited by chemical vapor deposition from dimethyl aluminum hydride onto silicon. Deposition conditions were chosen such that the deposition was selective onto silicon with respect to silicon dioxide. The crystal orientation of the nuclei has been studied. It is shown that on Si(100) the preferred mode of growth for the aluminum nuclei is Al(111).

机译：铝已经通过化学气相沉积从氢化二甲基铝沉积到硅上。选择沉积条件，使得相对于二氧化硅在硅上选择性沉积。已经研究了核的晶体取向。结果表明，在Si（100）上，铝核的首选生长方式是Al（111）。

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来源
《Thin films epitaxial growth and nanostructures》|1998年|p.84-88|共5页
会议地点 Strasbourg(FR)
作者
C. Bisch; E. Boellaard; G.C.A.M. Janssen; P.F.A. Alkemade; S. Radelaar;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
关键词
Aluminum; Chemical vapor deposition; Dimethyl aluminum hydride; Si(100); Si(111);

机译：铝;化学气相沉积;氢化二甲基铝Si（100）；硅（111）;

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