Institute of Microelectronics Solid State Electronics,University of Electronic Science Technology of China, 610054, P. R. China;
film thickness; magnetron sputtering; simulation;
机译:高功率脉冲磁控溅射沉积在半球工件的内表面上的锡膜的均匀性
机译:旋转旋转磁控溅射沉积薄膜的厚度均匀性
机译:膜厚和溅射功率对无氧RF磁控溅射沉积ITO薄膜性能的影响
机译:挡板对改善磁控溅射系统沉积薄膜厚度均匀性的影响
机译:溅射参数对RF磁控溅射沉积ITO膜的影响
机译:氧浓度对超薄射频磁控溅射沉积铟锡氧化物薄膜作为光伏器件上电极的性能的影响
机译:射频磁控溅射沉积ZnO薄膜的微观结构及其电学和光学性质的厚度依赖性