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首页> 外文会议>TMS(The Minerals, Metals amp; Materials Society) Annual Meeting; 20050213-17; San Francisco, CA(US) >STABLE FOUR TERMINAL SOLAR CELLS USING THIN FILM SILICON TECHNOLOGY
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STABLE FOUR TERMINAL SOLAR CELLS USING THIN FILM SILICON TECHNOLOGY

机译：使用薄膜硅技术稳定的四个终极太阳能电池

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We have developed a 4 terminal (4-T) thin film Si based multi-junction ( MJ) solar cell configuration in which the current matching constraint is released from each constituent cell, e.g. two cells (a-SiH and stable low band gap material, such as nc-SiH)) are separated via an insulator. This allows the use of ultra-thin (<1000A) a-Si:H solar cell where instability, which is inherent to a-SiH, is no longer an issue. This stable solar 4-T MJ design, has the potential to attain a solar cell conversion efficiency, η, >16%. We discuss the steps that are needed to go from the current η ～ 9% to >16%. We discuss the use of a modified pulsed PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) technique, which provides a powerful way to improve the nc-SiH materials by altering the growth via a layer-by-layer technique. With an improvement in grain size to > 1000-2000A, as in fine grained polycrystalline-Si, that higher carrier mobility's (especially for holes) could be attained leading to longer minority carrier diffusion length and to a substantial increase in the open circuit voltage (from 480 mV to >650mV) thus opening the route to high efficiency (>16%) low cost stable thin film Si solar cells.
机译：我们已经开发了一种基于4端子（4-T）薄膜Si的多结（MJ）太阳能电池配置，其中电流匹配约束从每个组成电池中释放，例如两个电池（a-SiH和稳定的低带隙材料，例如nc-SiH）通过绝缘体分开。这允许使用超薄（<1000A）a-Si：H太阳能电池，其中a-SiH固有的不稳定性不再是问题。这种稳定的太阳能4-T MJ设计具有实现太阳能电池转换效率η> 16％的潜力。我们讨论了从当前的η〜9％到> 16％所需的步骤。我们讨论了使用改良的脉冲式PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术的方法，该技术提供了一种通过逐层技术改变生长来改善nc-SiH材料的有效方法。如晶粒细化多晶硅中的那样，将晶粒尺寸提高到> 1000-2000A，可以获得更高的载流子迁移率（特别是对于空穴），从而导致更长的少数载流子扩散长度和开路电压的大幅增加（从480mV到> 650mV），从而为获得高效率（> 16％），低成本，稳定的薄膜硅太阳能电池开辟了道路。

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