直流反应和射频磁控溅射制备的Al掺杂ZnO薄膜结构和光学特性

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摘要

Abstract

第一章 绪论

1.1 ZnO 材料的结构和性质

1.2 ZnO 薄膜的掺杂

1.2.1 ZnO 的本征缺陷

1.2.2 ZnO 薄膜的掺杂

1.3 ZnO 薄膜的应用

1.3.1 透明导电器件

1.3.2 紫外光探测器

1.3.3 压敏器件

1.3.4 气敏和湿敏器件

1.4 本文选题背景和主要研究内容

参考文献

第二章 ZnO 薄膜的制备和表征方法

2.1 ZnO 薄膜的制备方法

2.1.1 磁控溅射法

2.1.2 金属有机化学气相沉积(MOCVD)

2.1.3 分子束外延(MBE)

2.1.4 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法

2.2 ZnO 薄膜的表征方法

2.2.1 X 射线衍射仪(XRD)

2.2.2 原子力显微镜(AFM)

2.2.3 紫外分光光度计

参考文献

第三章 射频磁控溅射制备Al 掺杂ZnO 薄膜的特性

3.1 射频磁控溅射Al 掺杂ZnO 薄膜的实验制备

3.2 射频磁控溅射Al 掺杂ZnO 薄膜结构及表面形貌的表征

3.3 射频磁控溅射Al 掺杂ZnO 薄膜的光学性质

3.4 本章小结

参考文献

第四章 直流反应磁控溅射制备Al 掺杂ZnO 薄膜的特性

4.1 直流反应磁控溅射 Al 掺杂 ZnO 薄膜的实验制备

4.2 直流反应磁控溅射 Al 掺杂 ZnO 薄膜结构及表面形貌

4.3 直流反应磁控溅射 Al 掺杂 ZnO 薄膜的光学性质

4.4 本章小结

参考文献

第五章 总结

致谢

附录:攻读硕士学位期间发表的论文