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反点排列对Zigzag边界石墨烯纳米带的电子输运性质的影响

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目录

文摘

英文文摘

1 绪论

1.1 引言

1.2 缺陷石墨烯的物理性质

1.3 紧束缚模型和格林函数方法

2 反点石墨烯纳米带的能带结构和输运性质

2.1 引言

2.2 计算模型及方法

2.3 计算结果与讨论

2.4 本章小结

3 反点石墨烯纳米带的自旋翻转效应

3.1 引言

3.2 计算模型及方法

3.3 计算结果与讨论

3.4 总结

4 总结和展望

参考文献

致谢

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摘要

本文采用紧束缚模型和Landau-Buttiker方法计算了Zigzag边界具有反点的石墨烯纳米带的电子输运的性质。
   在Zigzag边界的情况下,反点超晶格结构可以将原有的半金属特性转变为半导体的特性。可以通过调解反点在石墨烯纳米带中的位置和相邻的两个反点之间的距离调解导带和价带间的带隙。当系统具有N个反点时候,电导中将会出现(N-1)个共振劈裂峰和相应的传递阻塞区域。另外,当反点处于纳米带的边界时,在导区会有Fano共振。这样的特点将会应用到石墨烯电子学和光学设备的研究。
   在反点超晶格的基础上考虑铁磁对石墨烯电导的影响。铁磁可以使电子的自旋简并解除,反点的出现使石墨烯的电导中出现共振劈裂区域和传递阻塞区域。当自旋向上的共振劈裂区域和自旋向下的共振劈裂区域交替出现时,出现自旋翻转效应。

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