高k栅介质Ge MOS界面层材料、结构及钝化工艺研究

声明

第一章 绪论

1.1 选题背景及意义

1.2 高k栅介质Ge MOS器件的优势

1.3 高k栅介质Ge MOS器件所面临的挑战

1.4 高k栅介质Ge MOS器件研究现状

1.5 高k栅介质pMOSFET阈值电压研究进展

1.6 本文主要工作及内容安排

第二章 高k栅介质Ge MOS器件制备工艺及特性表征

2.1 MOS器件制备工艺

2.2 薄膜性能表征

2.3 MOS 器件电学特性表征

2.4 本章小结

第三章 不同界面钝化层对HfTiON/Ge MOS界面及电特性影响的研究

3.1 引言

3.2 HfTiON/GGO/Ge MOS器件

3.3 HfTiON/TaYON/Ge MOS器件

3.4 HfTiON/ZrLaON/Ge MOS器件

3.5 三种界面钝化层样品的性能比较

3.6 本章小结

第四章 双界面钝化层高k栅介质Ge MOS界面及电性能研究

4.1 引言

4.2 HfLaON/(NbON/Si)/Ge MOS器件

4.3 HfTiON/(LaON/Si)/Ge MOS器件

4.4 多层ZrON/TaON栅介质Ge MOS器件

4.5 本章小结

第五章 Ge pMOSFET 阈值电压模型

5.1 有钝化层的Ge pMOSFET 阈值电压模型

5.2 深亚微米高k栅介质Ge pMOSFET阈值电压模型

5.3 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 论文的主要工作与成果

6.2 论文工作的创新点及特色

6.3 工作展望

致谢

参考文献

攻读博士学位期间发表的论文