1 绪论
1. 1 研究背景和Si基MO S器件面临的挑战
1. 2 G aAs半导体材料的优势
1.3 GaAs MOS高k栅介质研究现状和面临的问题
1. 4 本文主要工作和内容安排
2 ZnON钝化层改善高k栅介质GaAs MOS界面特性研究
2. 1 引言
2. 2 器件制备工艺和性能表征
2. 3 实验过程
2. 4 实验结果和分析
2. 5 本章小结
3 ZnON钝化层掺La改善GaAs MOS界面和电特性研究
3. 1 引言
3. 2 实验过程
3. 3 实验结果和分析
3. 4 本章小结
4 NH3等离子体处理ZnLaON钝化层工艺条件的优化
4. 1 引言
4. 2 实验过程
4. 3 实验结果和分析
4. 4 本章小结
5 总结及展望
5. 1 总结与创新点
5. 2 展望
致谢
参考文献
附录 攻读硕士学位期间发表论文目录
华中科技大学;