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目录
1. 绪 论
1.1 选题目的及意义
1.2 国内外研究现状和进展
1.3 本文的主要研究内容
2. 样品制备及表征方法
2.1 氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μ c-Si:H)材料
2.2 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
2.3 晶体硅片
2.4 表征方法
3. 基于SiF4/H2/Ar等离子体的材料研究
3.1 H2流率对PECVD沉积硅薄膜的孵化时间及晶粒尺寸的影响
3.2 PECVD中射频输入功率对硅薄膜结构的影响
3.3 等离子体中产生的纳米颗粒及其对薄膜沉积的影响
3.4 基于SiF4/H2/Ar混合气体的薄膜太阳能电池
3.5 本章小结
4. 微晶硅太阳能电池本征层晶化率对电池性能影响的计算机模拟分析
4.1 微晶硅薄膜太阳能电池模型的参数设定
4.2 模拟结果和分析
4.3 本章小结
5. SiF4和H2在PECVD过程中对硅基底样品的刻蚀作用
5.1 SiF4对非晶硅薄膜以及单晶硅片表面的刻蚀效应
5.2 H2对单晶硅片表面的刻蚀效应
5.3 本章小结
6. 结论及研究展望
6.1 结论
6.2 研究展望
致谢
参考文献