基于SOI工艺瞬态增强LDO的设计

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 研究背景和意义

1．2 国内外研究现状

1．3 论文主要工作和结构安排

第二章 线性稳压器LDO的基本理论

2．1 LDO的基本结构和工作原理

2．2 LDO的性能参数指标

2．2．1 漏失电压(Dropout)

2．2．2 静态电流

2．2．3 负载调整率(Load Regulation，LDR)

2．2．5 电源电压抑制

2．2．6 精度

2．3 本章小结

第三章 LDO的稳定性及瞬态响应分析

3．1 稳定性分析

3．1．2 LDO线性稳压器的零极点分布

3．1．3 LDO的频率补偿

3．2 瞬态响应过程

3．3 几种瞬态响应增强技术

3．3．1 输出电流泄放法

3．3．2 加入缓冲级

3．3．3 偏置电流增强法

3．4 本章小结

第四章 LDO中带隙基准源的设计

4．1 SOI工艺

4．2 带隙基准的基本原理

4．3 电源抑制比提高技术

4．4 影响带隙基准源的非理想因素

4．4．1 电流的失配

4．4．2 电阻的误差

4．4．3 运放的失调

4．5 带隙基准源的稳定性分析

4．6 本文带隙基准源的设计

4．7 仿真结果分析

4．7．1 运放仿真结果

4．7．2 Bandgap仿真结果

4．8 本章小结

第五章 一种基于SOI工艺瞬态响应增强的LDo

5．1 功率管的设计

5．2 基准电流源的设计

5．3 LDO主电路的设计

5．3．1 稳定性分析

5．3．2 负载瞬态响应分析

5．4 LDO整体电路仿真分析

5．4．1 小信号AC分析

5．4．2 负载瞬态响应

5．4．3 负载调整率

5．4．4 线性调整率

5．4．5 PSRR

5．5 本章小结

第六章 版图的设计

6．1 版图设计与验证

6．2 版图设计注意事项

6．2．1 天线效应

6．2．2 版图的匹配

6．3 LDO版图的设计

6．3．1 带隙基准的版图设计

6．3．2 误差放大器的版图设计

6．3．3 整体LDO的版图设计

6．4 本章小结

第七章 总结与展望

参考文献

致谢