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摘 要
ABSTRACT
绪论
课题研究背景
课题研究基础
核心器件磁隧道结的简介
STT-MRAM存储单元的读写机理
研究现状
STT-MRAM存储单元研究现状
面向STT-MRAM存储单元设计的研究方法
本课题主要研究工作
论文结构
磁隧道结的SPICE建模
引言
磁隧道结电路级建模研究现状
行为级物理模型
电子自旋和磁矩
隧穿磁阻效应
自旋转移矩效应
面向SPICE模拟的准动态模型建立
STT-MTJ的模型建立与验证
STT-CPMTJ的模型建立与验证
本章小结
基于微磁模拟的无读破坏性读操作方法探索
引言
微磁模拟平台搭建
OOMMF模拟平台简介
STT-CPMTJ的微磁模拟实验环境和方法建立
基于STT-CPMTJ的无读破坏读操作方法研究
本章小结
基于STT-CPMTJ的无读破坏低功耗存储单元设计
引言
读写路径分离的存储单元设计
阵列和外围电路设计
阵列和读写控制电路设计
敏感放大器设计
阵列级的存储单元特性评估
本章小结
新型存储单元在非易失性寄存器设计中的应用
引言
全模非易失性寄存器设计和评估
全模非易失性寄存器设计
写回模式的特性评估
混模式非易失性寄存器设计与验证
本章小结
结束语
工作总结
研究展望
致谢
参考文献
作者在学期间取得的学术成果
