600V SOI单片集成IPM隔离技术研究

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 论文研究背景与意义

1．2 单片集成IPM隔离技术介绍

1．2．1 单片集成IPM芯片中的高低压兼容问题

1．2．2 单片集成IPM芯片隔离结构

1．3 本文的主要工作与论文组织

1．3．1 本文主要工作

1．3．2 论文设计指标

1．3．3 论文组织

第二章 厚膜SOI深槽隔离结构的耐压机理分析

2．1 厚膜SOI深槽隔离技术的特点

2．1．1 PN结隔离技术

2．1．2 厚膜SOI深槽隔离技术的特点

2．2 深槽隔离结构的耐压特性

2．2．1 侧壁氧化层的击穿机理

2．2．2 氧化层电荷对击穿过程的影响

2．2．2 氧化层工艺的影响

2．3 深槽隔离结构的分压模型

2．4 高压互连线干扰机理分析

2．5 本章小结

第三章 单片集成IPM隔离方案研究

3．1 传统的高压隔离环结构

3．2 700V全偏置深槽隔离结构设计与仿真

3．2．1 结构设计

3．2．2 理想情况的仿真结果

3．2．3 考虑高压互连线干扰的仿真结果

3．3 本章小结

第四章 实验及结果分析

4．1 700V深槽隔离结构的工艺流程设计

4．1．1 深槽隔离结构的原工艺流程

4．1．2 700V深槽隔离结构的改进工艺流程设计

4．2 版图设计

4．2．1 全偏置深槽隔离结构

4．2．2 半偏置深槽隔离结构

4．3 测试结果分析

4．4 本章小结

第五章 总结与展望

5．1 总结

5．2 展望

致谢

参考文献

硕士期间取得成果