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第一章概述
1.1体硅MOS的发展现状
1.2 SOI MOSFET的发展
1.2.1 SOI MOSFET的分类
1.2.2背栅效应
1.2.3短沟道效应
1.2.4浮体效应
1.2.5自加热效应
1.2.6 SOI MOSFET电路的特点
1.3深亚微米SOI器件模型面临的问题
1.4本课题研究的目的和意义
第二章SOI材料制备技术
2.1 SOI材料的发展
2.2 SOI的主要制备工艺
2.2.1键合再减薄(BESOI)技术
2.2.2注氧隔离(sIMOX)技术
2.2.3 Smart-Cut技术
2.2.4外延层转移(ELTRAN)技术
2.2.5 NanoCleaveTM技术
第三章SOI MOS阈值电压解析模型
3.1阈值电压模型分类
3.2 SOI MOS阈值电压模型发展概述
3.3 FD S0IMOS阈值电压模型
3.3.1 FDSOI表面电势模型
3.3.2阈值电压求解
3.4 HALO结构FD SOIMOS阈值电压模型
3.4.1结构与模型
3.4.2模型的验证与讨论
3.4.3忽略隐埋层二维效应的阈值电压模型
3.4.5隐埋层二维效应对模型的影响
3.5小结
第四章新型多栅全耗尽SOI器件研究
4.1多栅器件的发展
4.1.1双栅的器件
4.1.2平面双栅器件
4.1.3 FinFET器件
4.1.4 IT-FET(Inverted T channel FET)器件
4.1.5三栅器件
4.1.6围栅器件
4.2多栅器件的栅控能力研究
4.3新型MG-SOIMOS结构
4.3.1器件结构
4.3.2模拟结果与讨论
4.4.3小结
第五章 FD-SOIMOS的未来展望
致谢
参考文献
附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文