薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

程玉华; 魏丽琼; 孙玉秀; 阎桂珍; 李映雪; 武国英; 王阳元

首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文对ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ全耗尽Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ中单晶体管Ｌａｔｃｈ状态对器件性能的影响进行了实验研究．实验结果表明，短时间的Ｌａｔｃｈ条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变．蜕变原因主要是Ｌａｔｃｈ期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成了电子陷阱电荷（主要分布在漏端附近）所致．文章还对经过Ｌａｔｃｈ应力后，全耗尽ＳＯＩ器件在其他应力条件下的蜕变特性进行了分析．

著录项

来源
《半导体学报》 |1995年第7期|517-523|共7页
作者
程玉华; 魏丽琼; 孙玉秀; 阎桂珍; 李映雪; 武国英; 王阳元;
展开▼
作者单位

北京大学微电子学研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
单晶体管; 蜕变; MOSFET; SOI; SIMOX; 薄膜;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 薄膜全耗尽SOI　MOSFET单晶体管Latch效应 [J] . 魏丽琼 ,程玉华 ,孙玉秀 . 微电子学与计算机 . 1995,第2期
2. SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 [J] . 万新恒 ,张兴 ,黄如 . 半导体学报：英文版 . 2001,第3期
3. 硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究 [J] . 魏丽琼 ,程玉华 ,孙玉秀 . 半导体学报：英文版 . 1995,第3期
4. 全耗尽CMOS／SIMOX器件研制 [J] . 李金华 ,姜美芬 . 微细加工技术 . 1996,第003期
5. 薄膜全耗尽CMOS／SIMOX的高温特性分析 [J] . 竺士炀 ,高剑侠 ,林成鲁 . 功能材料与器件学报 . 1996,第1期
6. SIMOX材料在全耗尽CMOS器件中的应用 [C] . 连军 ,海潮和 ,韩郑生 . 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 . 2003
7. SOI薄膜（FD）器件模拟技术—深亚微米全耗尽SOIMOSFET阈值电压模型及新器件结构的研究 [A] . 许剑 . 2008

薄膜全耗尽SIMOX／SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅