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高速低压低功耗CMOS/BiCMOS运算放大器设计

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第一章绪论

1.1课题的价值及其意义

1.2国内外发展现状与发展趋势

1.3低压低功耗运算放大器的基本问题

1.4论文的章节安排

第三章CMOS器件模型与工作特性

2.1 MOS器件的原理及模型

2.1.1 MOSFET的结构和大信号特性

2.1.2 MOSFET的小信号模型

2.2阈值电压

2.3 小结

第三章CMOS运放的基本单元分析

3.1运算放大器电路的总体分析

3.2运算放大器差分输入级的分析

3.2.1折叠式共源-共栅(folded-cascode)差动级

3.2.2套筒式共源-共栅(telescopic-cascode)差动级

3.2.3低压宽摆幅共源-共栅电流镜电路

第四章运算放大器的性能指标及测试方法

4.1运放的具体指标及测试方法

4.1.1开环增益(open loop dc gain)

4.1.2开环带宽和增益带宽积(band width and UGB)

4.1.3输出摆幅(output swing)

4.1.4转换速率与建立时间(slew rate and settling time)

4.1.5相位裕度(phase margin)

4.1.6功耗(power dissipation)

4.1.7噪声(noise)

4.2运放指标设计与折衷

第五章CMOS运算放大器的设计

5.1电路的设计目标

5.1.1设计目标

5.1.2运放的结构选择

5.2性能指标分析

5.2.1差分直流增益Adm

5.2.2差分压摆率

5.2.3静态功耗

5.2.4相位裕度和单位增益带宽

5.2.5共模负反馈CMFB

5.2.6宽摆幅电流源

5.2.7 Miller补偿电阻

5.3参数计算

5.3.1确定Miller补偿电容

5.3.2确定两级发大器中的工作电流

5.3.3计算放大器的跨导gm9

5.3.4电流源偏置管和Cascode管的尺寸

5.3.5 Miller补偿电阻Rc的确定

5.3.6偏置电路的管子尺寸

5.3.7共模负反馈电路的晶体管尺寸

第六章HSpice仿真及BiCMOS运放设计

6.1运算放大器的HSPICE仿真

6.1.1运算放大器的增益和相位测量

6.1.2阶跃响应特性

6.1.3共模抑制比(CMRR)的测量

6.1.4放大器输入输出延迟时间的测量

6.1.5放大器功耗的测量

6.1.6放大器输出摆幅特性

6.2 BiCMOS放大器设计

6.2.1 BiCMOS介绍与放大器的设计

6.2.2元器件制备工艺要点

6.2.3仿真结果与分析

第七章结论与展望

致谢

参考文献

附录

攻读硕士研究生期间发表的论文

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摘要

近年来,以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用,因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中,运算放大器是最基本的电路,所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中,必须考虑电路的主要性能指标。由于电源电压的降低会影响电路的性能,所以只实现低压、低功耗的目标而不实现优良的性能(如高速)是不大妥当的。 论文对国内外的低电压、低功耗模拟电路的设计方法做了广泛的调查研究,分析了这些方法的工作原理和各自的优缺点,在吸收这些成果的基础上设计了一个3.3 V低功耗、高速、轨对轨的CMOS/BiCMOS运算放大器。在设计输入级时,选择了两级直接共源一共栅输入级结构;为稳定运放输出共模电压,设计了共模负反馈电路,并进行了共模回路补偿;在偏置电路设计中,电流镜负载并不采用传统的标准共源-共栅结构,而是采用适合在低压工况下的低压、宽摆幅共源-共栅结构;为了提高效率,在设计时采用了推挽共源极放大器作为输出级,输出电压摆幅基本上达到了轨对轨;并采用带有调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。 采用标准的上华科技CSMC 0.6μpm CMOS工艺参数,对整个运放电路进行了设计,并通过了HSPICE软件进行了仿真。结果表明,当接有5 pF负载电容和20 kΩ负载电阻时,所设计的CMOS运放的静态功耗只有9.6 mW,时延为16.8ns,开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到82.78 dB,52.8 MHz和76°,而所设计的BiCMOS运放的静态功耗达到10.2 mW,时延为12.7 ns,开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别为83.3 dB、75 MHz以及63°,各项技术指标都达到了设计要求。

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