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孙晓晔;
南京航空航天大学;
无压渗透法; 电子封装材料; SiCp/Al复合材料; 热学性能; 制备工艺;
机译:瓶坯制备条件对无压渗透法制备的Al_2O_3Ti颗粒分散Mg基复合材料结构和性能的影响
机译:添加氧化物对层状SiC支架和无压渗透法制备的Al-Si-Mg / SiC复合材料的组织和力学性能的影响
机译:无压熔体渗入法制备Al / SiCp复合材料的工艺和冲击性能
机译:无压渗透法制备的Al_2O_3和SiC_p增强Al复合材料的磨损特性
机译:金属间相对铝-碳化硅(Al-SiCp)复合材料腐蚀的影响。
机译:SiCp相对较高分数的SiCp / Al复合材料的制备和阳极氧化
机译:无压渗透法制备高体积分数SiC颗粒增强Al复合材料的压缩蠕变行为
机译:加工对siCp-6XXX al复合材料断裂性能影响的研究
机译:高体积分数SiCp / Al复合钛合金-PbO玻璃金属介电膜的光学银镜,制备方法及其应用
机译:大体积分数SICP / AL和铋酸盐玻璃复合材料及其制备方法
机译:具有高体积分数SiCp / Al复合-钛合金-铋金属玻璃和多层介电膜的光学镜面及其制造方法
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