基于GaN HEMT功率开关器件的250W电脑电源研制

声明

1 绪论

1.1 硅（Si）功率器件的困境

1.2 GaN功率器件的优势

1.3 国内外相关研究概况以及发展趋势

1.4 本文研究内容及意义

2 GaN功率开关器件电气参数分析与测试

2.1 高压级联GaN器件实际测量分析

2.1.1 测试设备与软件

2.1.2 输出特性测试

2.1.3 转移特性测试

2.1.4 动态电阻测试

2.1.5 开关特性测试

2.1.6 反向特性测试

2.1.7 击穿特性测试

2.1.8 电容测试

2.1.9 Qg测试

2.1.10 体二极管正向特性测试

2.1.11 热阻测试

2.2 高压级联GaN器件测试结果与硅器件对比

3基于GaN器件Boost PFC设计与分析

3.1基于GaN器件Boost PFC电路设计

3.2基于GaN器件Boost PFC参数计算

3.2基于GaN器件Boost PFC参数测量

4 基于GaN器件半桥LLC设计与分析

4.1 基于GaN器件半桥LLC电路设计

4.2 基于GaN器件半桥LLC参数计算

4.3 基于GaN器件半桥LLC参数测量

5 基于GaN器件电源设计与分析

5.1 EMI、反馈电路、辅助电源等设计

5.1.1 EMI模块设计

5.1.2 反馈电路与辅助电源设计

5.2 最终PCB布板与测试

5.2.1 PCB布板

5.2.2 整机测试

结论

参 考 文 献

致谢

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