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敖伟栋;
辽宁师范大学;
垂直排列; 合金; 纳米片; 控制合成;
机译:带隙可调MS2(1-X)SE2x(M = MO,W)合金及其物理性质的合理合成
机译:通过优化参数来调整单层MOS2(1-X)SE2X合金的带隙调谐
机译:具有可调带隙的单层WS2(1-x)Se2x的合成及增强的电化学催化性能
机译:三元Zn x inf> Cd 1-x inf> S(0≤x≤1)合金纳米线的合成,表征和带隙可调谐性
机译:使用组成梯度合金纳米线的分光光伏系统单片集成的横向排列多带隙太阳能电池的设计和制造。
机译:具有可调谐化学成分和带隙的三元SnS2-xSex合金纳米片和纳米片组件用于光电探测器
机译:间接以二维WS2(1-X)SE2X合金的直接带隙交叉
机译:在si(0(le)x(le)上生长的si(sub 1-x)C(sub x)和si(sub 1-x)Ge(sub x)C(sub y)半导体合金的介电函数和带隙0.014)
机译:Res2制造Res2薄层的方法和使用相同的光检测器的制造方法
机译:电场穿透控制的垂直电阻和FET的新结构,以及通过累积穿透场效应通过垂直FET进行的带隙电压参考
机译:垂直电阻器和FET的结构受电场渗透和带隙基准电压的控制,该结构使用垂直FET通过场渗透效应累积进行操作
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