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一种连续可调带隙层状MoS_2xSe_2(1-x)合金薄片的制备方法

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二维原子层级别超薄材料在纳米电子学、光电子学和光子学应用的关键是其带隙的调节。本发明首次用一种简单的方法合成了组分渐变的三角形MoS_2xSe_2(1-x)薄片，大小为几十微米，厚度为几个原子层。在激光激发下，样品的拉曼光谱及光致发光光谱很好地证实了其组分的可调性。所有的样品都展示出了很好的单一带边发射性能：光致发光位置从668纳米（MoS₂）调节至795纳米（MoSe₂），表明所合成全组分合金质量很高。这种带隙设计的二维结构在基本物理研究和纳米级功能性光电子器件的潜在性应用上将会令人关注。

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公开/公告号CN103938047B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-22

原文格式PDF
申请/专利权人湖南大学;
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申请/专利号CN201410072086.9
发明设计人潘安练;李洪来;
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申请日2014-02-28
分类号C22C29/00(20060101);C23C16/06(20060101);
代理机构43114 长沙市融智专利事务所;
代理人颜勇
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
入库时间 2022-08-23 09:43:01

法律信息

法律状态公告日

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法律状态
2016-06-22

授权

授权
2014-08-20

实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 29/00 申请日:20140228

实质审查的生效
2014-07-23

公开

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