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第一章引言
§1.1本领域研究发展近况
§1.2论文内容安排
第二章半导体球形量子点中类氢杂质态的二次斯塔克效应
§2.1理论模型
§2.2数值计算与结果讨论
§2.3结论
第三章外电场下半导体球形量子点中的极化子效应
§3.1理论模型
§3.2幺正变换与理论计算
§3.3数值计算与结果讨论
§3.4结论
参考文献
致 谢
攻读硕士学位期间完成的学术论文
皇甫艳芳;
内蒙古大学;
量子点; 无限高势垒球; 二次斯塔克效应; 极化子效应;
机译:球形半导体量子点中相互作用的电子-空穴对的斯塔克效应
机译:用于研究GaAs量子点中量子受限斯塔克效应的极化子转换显式相关全构型相互作用方法的开发
机译:横向电场下单个InGaN量子点中的量子限制斯塔克效应
机译:半导体锥形量子点中的量子限制和伪斯塔克效应
机译:限制在球形量子点中的极化子的性质。
机译:GaN / AlGaN球形量子点中的二次电光效应和电吸收过程的研究
机译:采用量子限制斯塔克效应调谐机制的先进半导体激光器
机译:量子限制的斯塔克效应量子点光调制器
机译:量子限制斯塔克效应量子点光调制器
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