射频磁控溅射镀膜过程中离子输运和溅射行为的模拟计算

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第一章绪论

1.1引言

1.2薄膜材料

1.3等离子体镀膜技术

1.4等离子体镀膜技术研究

1.4.1镀膜过程中等离子体输运过程的研究现状

1.4.2靶材溅射模拟过程的研究现状

1.4.3薄膜生长过程的研究现状

1.5本文研究的目的、意义和方法

第二章射频磁控溅射系统

2.1溅射镀膜的过程及特点

2.2射频磁控溅射镀膜的特点

2.3射频溅射系统中的机理

2.4射频磁控溅射镀膜设备

2.5本章小结

第三章近表面等离子体粒子输运模拟计算

3.1等离子体概述

3.1.1等离子体的产生原理

3.1.2等离子体的几个特征参量

3.2射频辉光放电的阴极鞘层

3.2.1等离子体鞘层

3.3输运模型的建立

3.3.1坐标系约定

3.3.2输入参数设置选择

3.3.3磁场的影响和被输运离子的产生

3.3.4鞘层参数的确定

3.3.6背景气体分子的速度

3.3.7飞行粒子和背景气体分子间的作用势能

3.3.8粒子间弹性碰撞

3.3.9碰撞后的粒子状态

3.3.10碰撞截面

3.3.11跟踪粒子自由飞行距离

3.4粒子输运过程模拟

3.4.1离子输运的计算机模拟

3.4.2溅射原子输运的计算机模拟

3.5主要模拟结果

3.5.1离子到达靶面的位置

3.5.2靶面离子能量分布

3.5.3气流压强、流量对离子角度分布的影响

3.5.4鞘层空间离子能量分布

3.5.5溅射原子输运模拟结果

3.6本章小结

第四章靶材的溅射

4.1靶材溅射的机理及模拟方法

4.1.1入射离子和靶原子间的相互作用

4.1.2靶材的溅射过程

4.1.3溅射的计算机模拟方法

4.2 SRIM简介

4.3模拟结果

4.3.1溅射原子的位置分布

4.3.2溅射原子的能量分布

4.3.3溅射原子的角度分布

4.3.4溅射产额的变化规律

4.4本章小结

结论

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间发表的论文及所获得的奖励

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