摘要
Abstract
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 硅化物工艺的发展历史
1.3 NiSi工艺介绍
1.4 Si(110)晶向衬底介绍和本论文内容安排
第二章 NiSi样品的制备及测试方法
2.1 样品制备工艺流程
2.1.1 光硅片样品工艺处理
2.1.2 图形片样品工艺处理
2.2 样品测试方法
2.2.1 薄层电阻测量
2.2.2 X射线衍射(XRD)
2.2.3 拉曼散射光谱分析法(Raman spectra)
2.2.4 原子力显微镜扫描(AFM)
2.2.5 二次离子质谱(SIMS)法测量元素分布
2.2.6 俄歇电子能谱(AES)
2.2.7 电流-电压扫描(I-V)
第三章 NiSi在Si(110)衬底上的形成研究
3.1 引言
3.2 样品制备简介
3.3 25nm Ni膜在不同衬底上的反应研究
3.4 10nm Ni膜在Si(110)晶向衬底上的反应研究
3.5 本章小结
第四章 NiSi/Si(110)肖特基二极管电学特性研究
4.1 引言
4.2 样品制备介绍
4.3.10nmNi膜二次退火后的I-V特性研究
4.4 本章小结
结论
参考文献
致谢
复旦大学;
