SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究

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• 来源
  《半导体学报》 |1990年第6期|470-474|共5页
• 作者

  林成鲁; 周伟; 邹世昌; P.L.F.Hemment;

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• 作者单位

  中国科学院上海冶金所离子束开放研究实验室;

  Department of Electronic and Electrical Engineering;

  University of surrey;

  Guildford;

  Surrey GU2;

  5XH;

  U.K.;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN304.055;
• 关键词

  SIMOX; 薄膜; 钛硅化物; 半导体;