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一种钛硅化物的形成方法

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摘要

本发明公开一种钛硅化物的形成方法，包括以下步骤：首先，进行第一次Si注入；然后，通过HF刻蚀后进行金属钛的溅射；接着，进行第二次Si注入；之后，通过第一次灯退火及选择性刻蚀；最后，通过第二次灯退火以形成钛硅化物。本发明可以改善钛硅化物方块电阻的均一性。

1. 一种钛硅化物的形成方法 [P] . 中国专利： CN1889239A . 2007-01-03
2. 一种金属硅化物的形成方法 [P] . 中国专利： CN110911280A . 2020-03-24
3. Process for applying coatings of zirconium and/or titantuim and a less noble metal to metal substrates and for converting the zirconium and/or titanium to an oxide, nitride, carbide, boride or silicide [P] . 美国专利： US4935073A . 1990-06-19

机译：将锆和/或钛的涂层以及一种稀有金属涂覆到金属基底上并将锆和/或钛转化成氧化物，氮化物，碳化物，硼化物或硅化物的方法
4. C49-structured tungsten-containing titanium salicide structure and method of forming the same [P] . 美国专利： US6114765A . 2000-09-05

机译： C49结构的含钨的钛硅化物结构及其形成方法
5. Titanium salicide formation method [P] . 韩国专利： KR19990041688A . 1999-06-15

机译：钛硅化物的形成方法