硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究

王金良

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硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究

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过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性.因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业.对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理,通过固相反应法(SPR)制备过渡金属硅化物薄膜,即经过对过渡金属硅化物(薄膜)/Si系统进行各种温度、不同时间的热处理,制备出各种过渡金属硅化物薄膜.对于制成的各种硅化物薄膜,用X射线衍射法(XRD)和软X射线发射分光光谱法(SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认.并且,由这两种分析方法表明:各种过渡金属硅化物薄膜在硅衬底上各形成了单一相的均匀层硅化物薄膜.

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来源
《北京航空航天大学学报》 |2005年第1期|1-4|共4页
作者
王金良;
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作者单位

北京航空航天大学,理学院,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;薄膜测量与分析;
关键词
固相反应; 硅化物; 薄膜生长; X射线衍射; 软X射线发射光谱;

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