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薄膜生长

薄膜生长的相关文献在1981年到2022年内共计661篇,主要集中在物理学、无线电电子学、电信技术、一般工业技术 等领域,其中期刊论文297篇、会议论文121篇、专利文献168980篇;相关期刊125种,包括材料导报、功能材料、微细加工技术等; 相关会议86种,包括第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)、2010年第九届中国国际纳米科技(西安)研讨会、第十七届全国半导体物理学术会议等;薄膜生长的相关文献由1543位作者贡献,包括刘斌、张荣、郑小平等。

薄膜生长—发文量

期刊论文>

论文:297 占比:0.18%

会议论文>

论文:121 占比:0.07%

专利文献>

论文:168980 占比:99.75%

总计:169398篇

薄膜生长—发文趋势图

薄膜生长

-研究学者

  • 刘斌
  • 张荣
  • 郑小平
  • 张佩峰
  • 曾一平
  • 李洪
  • 杜国同
  • 谢自力
  • 郑有炓
  • 钱昌吉
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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    • 董金鹏; 孙强; 李桂娟; 苏和平; 王璐; 朱阳阳; 王丽娟
    • 摘要: 通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系。结果表明,p-6P在180~190°C较高的衬底生长温度和3~4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶畴以及对二氧化硅衬底表面更好的覆盖,有利于诱导ZnPc小分子的结晶生长,使晶畴的排列更加有序。同时通过X射线衍射分析晶体结构,结果表明p-6P衬底温度的升高会明显提高ZnPc薄膜的结晶性。电性能研究发现,ZnPc蒸镀厚度的增加会显著提高器件的饱和电流和迁移率,在异质诱导条件下,p-6P薄膜厚度为3 nm、ZnPc蒸镀厚度为20 nm时,器件的饱和电流为1.08×10^(-6) A,迁移率为1.66×10^(-2) cm ^(2)·V^(-1)·s^(-1)。
    • 董金鹏; 孙强; 李桂娟; 苏和平; 王璐; 朱阳阳; 王丽娟
    • 摘要: 通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系.结果表明,p-6P在180~190°C较高的衬底生长温度和3~4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶畴以及对二氧化硅衬底表面更好的覆盖,有利于诱导ZnPc小分子的结晶生长,使晶畴的排列更加有序.同时通过X射线衍射分析晶体结构,结果表明p-6P衬底温度的升高会明显提高ZnPc薄膜的结晶性.电性能研究发现,ZnPc蒸镀厚度的增加会显著提高器件的饱和电流和迁移率,在异质诱导条件下,p-6P薄膜厚度为3 nm、ZnPc蒸镀厚度为20 nm时,器件的饱和电流为1.08×10-6 A,迁移率为1.66×10-2 cm2·V-1·s-1.
    • 马永胜; 杨雨晨; 景泳淼; 孙飞; 董海义; 何平; 陈双凯; 张志伟; 陈子林; 杨馥羽; 刘佰奇; 张磊
    • 摘要: 在实际镀膜过程中,镀膜腔室内不可避免地会含有微米级的颗粒、灰尘,除此之外,衬底表面在加工过程中产生的缺陷、污染,即使经过清洗处理,往往也不能完全消除,甚至会带来新的缺陷、污染。阴极靶中的杂质、气泡以及微弧放电同样会产生颗粒物,这些因素将直接导致薄膜在生长过程形成缺陷。详细综述了薄膜缺陷的形成原因、分类以及对不同应用的影响。根据形成原因、微观形貌等,可将缺陷大致分为薄片形结构、凹坑结构、结节状球形滴锥结构、针孔/气孔结构等四种类型。不同类型缺陷在薄膜中的占比受环境因素变化而改变,在空间分布也有所不同。缺陷破坏了薄膜的完整性,对薄膜性能产生较大影响,如降低了硬质薄膜的耐摩擦性,腐蚀介质可通过缺陷达到基材表面,导致耐腐蚀薄膜丧失保护功能。对于超导薄膜,当缺陷尺寸远大于copper电子对相干长度时,剩余电阻大大增加。最后,总结了气压、偏压、电压、沉积时间、衬底安装角度、镀膜室屏蔽结构等对缺陷密度的影响,也说明通过优化以上参数与结构可以降低缺陷密度,改善薄膜质量。
    • 谢璐; 安豪杰; 秦勤; 臧勇
    • 摘要: 根据磁控溅射实验条件,采用分子动力学方法,在Si(100)面上模拟沉积了三种Zrx Cu100-x (x=50, 70和90)合金薄膜. 通过计算径向分布函数(RDF)及X射线衍射(XRD)分析了沉积薄膜的形貌结构,并探讨了玻璃形成能力和五重局部对称性之间的关系. 最后研究了沉积薄膜的力学性能,及薄膜厚度对拉伸过程的影响. 研究结果表明:Zr-Cu合金玻璃形成能力与五重局部对称性之间存在一定的相关性,沉积玻璃薄膜比晶体薄膜表现出更好的延展性,其中Zr50 Cu50沉积玻璃薄膜比近共晶成分玻璃薄膜(Zr70 Cu30 )具有更大的拉伸强度;沉积薄膜存在一定的尺寸效应,薄膜相对厚度越小,其拉伸强度越大.
    • 董晓莉; 金魁; 袁洁; 周放; 张广铭; 赵忠贤
    • 摘要: FeSe基超导体的超导临界温度可大范围调控,物理现象丰富,是非常规超导机理研究的热点.由于较高的超导临界参数及易于加工等特点,FeSe基超导体在超导应用开发方面也日益受到重视.大尺寸高质量的单晶和薄膜形态的FeSe基超导材料,对于相关基础科学研究和应用开发都极为重要.作者近年来先后开发和发明了水热离子交换(ion-exchange)、离子脱插(ion-deintercalation)、基底辅助水热外延生长方法,成功解决了二元FeSe和插层(Li,Fe)OHFeSe超导体高质量单晶和薄膜的生长和物性调控难题.进而在相关物理问题的研究中取得新进展,包括发现二元FeSe中自旋向列序与超导电性密切相关,观测到(Li,Fe)OHFeSe中的电子相分离现象.此外,(Li,Fe) OHFeSe超导薄膜呈现很高的超导临界电流密度和上临界磁场,其应用前景值得关注.
    • 余韵
    • 摘要: 引言:Mo掺杂VO2薄膜,是现代化工生产探究的代表,它具有基础性、引导性、以及创新开发性特征,在现代电子产业、化工产业开发中,占有不可忽视的地位。基于此,本文结合化学气相沉积法,对Mo掺杂VO2薄膜生长过程进行探究,并归纳常见Mo掺杂VO2薄膜器件制备的方法应用要点,以达到充分发挥Mo掺杂VO2薄膜资源优势,为现代化工资源综合开发提供借鉴的目的。VO2薄膜,是一种热致变相变材料,它是由高温金红石、金属单斜半导体机构逆转生成的机体结构,该类材料具有强激光刺激性、光电供应性强的特征。随着该类物质开发范围逐步扩大,VO2薄膜产品的掺杂与转换,逐渐成为资源开发的主要趋向,并成功的与现代化工生产有机结合在一起,成为打造新化工产业的主要研究对象。
    • 董贵仁; 唐吉玉; 崔靖; 刘娟; 何右青
    • 摘要: 三维3D ES势垒直接影响着层间扩散,在Cu(111)和Cu(100)面2D ES势垒和3D ES势垒是不同的.本文主要研究了基于(1+1)维KMC模型,在这两个特殊的晶面上Cu薄膜的同质外延生长.观察两个面的生长情况,发现随着温度的增加薄膜的粗糙度逐渐减小,由于Cu(111)表面2D ES势垒较小,所以Cu(111)面粗糙度的下降的速度比Cu(100)要快,Cu(111)表面更有利于薄膜的生长.对于纳米棒的应用,在生长时间较短时两个面的生长速率逐渐减小,但是Cu(100)面的生长速度比Cu(111)面更快,随着生长时间的增加,这两个面会出现多层台阶,Cu(111)面的生长速度会逐渐增加,最终会超过了Cu(100)面.多层台阶出现后对两个面的影响是不同的.由于Cu(111)表面3D ES势垒较大,在Cu(111)表面会形成较多的多层台阶,Cu(111)面上多层台阶数有利于纳米棒的生长,然而在Cu(100)表面3D ES势垒较小,Cu(100)表面很难形成多层台阶,所以Cu(100)面上纳米棒的生长速度并没有增加.正是因为3D ES势垒的存在才会导致多层台阶的出现,较大的3D ES势垒有利于纳米棒的生长.%The 3-dimensional Ehrlich-Schwoebel(3D ES) barriers directly affect the interlayer diffusion,and the 2D ES barrier and the 3D ES barrier are different on the Cu(111) and Cu(100) surface respectively.Based on (1 + 1) dimensional KMC method,we mainly focused on the homogeneous epitaxial growth of Cu films on these two special crystal surfaces in this paper.And we found that the roughness of the film decreases with the increase of temperature.The roughness on Cu (111) surface drops faster than that on Cu(100) surface,and Cu(111) surface is more conducive to the growth of film due to lower 2D ES barrier.For the application of nanorods,the growth rate declines gradually when the growth time is short,but the growth rate of Cu(100) surface is faster than that on Cu(111) surface.However,with the growth time increasing,the effects on these two surfaces are different in appearance of multi-layer steps.The growth rate of Cu(111) surface rises and eventually exceeds the Cu(100) surface.The multi-layer steps formed on Cu(111) surface is more favorable for the growth of nanorods because of the larger 3D ES barrier while the multi-layer steps are hard to form on Cu(100) surface and the growth rate of nanorods does not increase due to the lower 3D ES barrier.The existence of 3D ES barrier leads to the emergence of multi-layer steps and the larger 3D ES barrier is conducive to the growth of nanorods.
    • 储静远; 赵跃; 吴蔚; 洪智勇; 金之俭
    • 摘要: 低成本制备高性能第二代高温超导带材是实现其产业应用的基础。离子束辅助沉积技术由于具有对金属基带材料依赖弱、产生的织构度高、生产速度快等优点而被广泛使用。在该工艺中,如何获得原子级平整的金属基底,进而获取优良织构的缓冲层一直是科学家关注的焦点。近年来,溶液沉积平整化(SDP)作为一种新型的基底平整化处理方式,以其特有的成本低廉、生产高效等优势越来越被各国所重视。系统地介绍了 SDP 工艺的发展历史和基本原理,总结了近几年来国内外科研机构对 SDP工艺研究的主要内容及最新进展。%Fabrication of low-cost second generation high temperature superconducting tapes with high-per-formance is the foundation of industrial application.Among all the fabrication routes,ion beam assisted deposition has been widely used due to its weak dependence on materials of mentallic substrate,high aligned texture formation,high throughput and so on.In this process,obtaining atomically flat metal substrate and the formation of excellent textured buffer layer are the key points.Solution deposition planarization (SDP),as a new route to planarize the substrate,has attracted more and more attention over the world because of the low-cost,high throughput and other typical advanta-ges.This paper briefly reviews the history and the principles of the SDP technique,and highlight the latest research achievements of SDP at home and abroad.
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