硅基场发射三极管阵列的制备与优化

摘要

ABSTRACT

目录

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 场发射阴极的发展状况

1.2.1 场发射发展历史

1.2.2 场发射的国外研究情况

1.2.3 场发射的国内研究情况

1.3 场发射阴极的分类与应用

1.3.1 场发射阴极的分类

1.3.2 场发射阴极的应用

1.4 本论文的主要工作内容及意义

第二章 场致发射的基本理论

2.1 金属材料的表面势垒

2.2 金属场致发射理论

2.2.1 理想条件下的F-N公式

2.2.2 F-N公式的适用性

2.3 半导体场致发射理论

2.4 尖锥发射体参数与场发射的关系

第三章 场发射三极管阵列的基本制备工艺

3.1 Spindt阴极制备工艺

3.2 硅尖锥阴极制备工艺

3.2.1 自对准氧化削尖工艺

3.2.2 回蚀工艺

3.3 微尖场发射阵列工艺

3.4 本章小结

第四章 硅基场发射三极管阴极阵列的制备

4.1 材料的选择

4.1.1 基底材料的选择

4.1.2 场发射材料的选择

4.2 半导体空腔的制备工艺研究

4.2.1 预氧层及氮化硅层的制备

4.2.2 光刻技术

4.2.3 氧化模型与参数控制

4.2.4 空腔刻蚀

4.2.5 结果与分析

4.3 硅基场发射三极管阵列栅极的制备

4.4 牺牲层的设计与制备

4.5 硅基场发射三极管阵列尖锥阵列的制备

4.5.1 沉积尖锥阵列

4.5.2 去除牺牲层

4.5.3 沉积薄膜的尖锥阵列制备

4.6 本章小结

第五章 阴极阵列的优化与测试

5.1 退火工艺

5.2 三极管阵列封装工艺及测试设备

5.2.1 封装工艺

5.2.2 测试电路

5.3 场发射三极管发射性能测试及分析

5.4 场发射三极管稳定性测试及分析

5.5 本章小节

第六章 结束语

6.1 本论文的主要工作与结论

6.2 工作展望

致谢

参考文献

个人简历

硕士研究生期间发表的论文