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第一章 绪论
1.1 太赫兹辐射的主要特点
1.2 太赫兹辐射源的主要分类
1.2.1 基于光整流效应的THz辐射源
1.2.2 基于差频效应的THz辐射
1.2.3 TPO或TPG产生THz辐射
1.2.4 THz光电导天线
1.2.5 光学Cherenkov辐射THz辐射源
1.2.6 半导体量子级联THz辐射源
1.2.7 其他新型光学THz辐射源
1.2.8 真空电子类THz源
1.3 太赫兹探测技术的发展
1.4 太赫兹技术的应用
1.5 太赫兹光子学国际发展现状
1.6 太赫兹光子学国内发展现状
1.7 本文的主要内容
第二章 GaAs晶体的光学性质
2.1 GaAs晶体的生长方法
2.1.1 液封直拉法(LEC)
2.1.2 水平布里支曼法(HB)
2.1.3 垂直梯度凝固法和垂直布里支曼法(VGF/VB)
2.1.4 蒸汽压控制直拉法(VCZ)
2.2 GaAs晶体的晶格结构及基本理化性质
2.3 GaAs晶体的基本光学性质
2.4 GaAs晶体的二阶非线性光学性质
2.5 GaAs晶体的双光子吸收
2.5.1 GaAs晶体双光子吸收基本原理
2.5.2 GaAs晶体双光子吸收引起的非线性色散
2.6 GaAs晶体的自聚焦效应
2.7 GaAs晶体的受激拉曼散射效应
2.7.1 GaAs晶体的受激拉曼散射效应基本原理
2.7.2 受激拉曼过程的几个重要参数
本章小结
第三章 闪光灯泵浦内腔双谐振KTP光学参量振荡器
3.1 IDOPO的耦合波方程
3.2 内腔双谐振光学参量振荡的数值模拟
3.3 KTP晶体的相位匹配分析
3.4 近简并点双谐振内腔光学参量振荡器的实验
3.4.1 实验装置
3.4.2 实验结果及分析
本章小结
第四章 基于受激拉曼散射效应的GaAs晶体THz辐射源
4.1 受激拉曼散射原理
4.1.1 受激拉曼散射过程的耦合波方程
4.1.2 THz受激拉曼散射过程的耦合波方程
4.1.3 受激拉曼增益系数及泵浦光阈值
4.1.4 GaAs晶体的相位匹配条件
4.2 基于GaAs晶体的受激拉曼效应产生窄带THz辐射的实验
4.2.1 实验条件
4.2.2 实验结果及分析
本章小结
第五章 利用菲涅尔相位匹配GaAs晶体实现宽调谐THZ探测
5.1 菲涅尔相位匹配基本理论[9]
5.1.1 共振非涅尔相位匹配的数值模拟
5.1.2 非共振非涅尔相位匹配的数值模拟
5.2 影响转换效率的主要因素
5.2.1 Goos-Hanchen延迟
5.2.2 晶体抛光精度
5.2.3 允许角宽度
5.2.4 有效非线性系数
5.2.5 晶体的吸收
5.3 利用角度调谐在菲涅尔相位匹配GaAs晶体中实现可调谐THz探测的实验设想
本章小结
参考文献
发表论文和科研情况说明
致谢