硅漂移探测器(SDD)分压器的设计和工艺实现研究

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第一章 绪论

1.1 引言

1.2 X射线探测器

1.2.1 充气式探测器

1.2.2 闪烁探测器

1.2.3 半导体探测器

1.3 硅漂移探测器（SDD）

1.3.1 圆环形硅漂移探测器

1.3.2 液滴状SDD（SD3）

1.3.3 3D探测器

1.4 分压器的工作原理

1.5 本章小结

第二章 分压器的制备与表征

2.1 分压器的制备

2.1.1 扩散法

2.1.2 多晶硅法

2.1.3 离子注入法

2.2 分压器的表征

2.2.1光学显微镜

2.2.2小信号高低温在片测试系统

2.2.3电化学电容电压（ECV）

2.2.4 扫描电子显微镜（SEM）

2.3 本章小结

第三章 分压器的模拟与设计

3.1 模拟参数设置

3.2 分压器宽度设计

3.3 分压器长度设计

3.4 本章小结

第四章 扩散型分压器

4.1 扩散型分压器的制备

4.2 通源时间对分压器的影响

4.3 通源期间O2流量对分压器的影响

4.4 预氧化期间O2流量对分压器的影响

4.5 不同测试温度对分压器的影响

4.6 本章小结

第五章 多晶硅型分压器

5.1 多晶硅型分压器的制备

5.2 非晶硅生长时间对分压器的影响

5.3 不同退火温度对分压器的影响

5.4 不同测试温度对分压器的影响

5.5 对掺杂进行控制的两种改进方法

5.5.1 改变关掉B2H6后等待起辉的时间

5.5.2 改变B2H6通入的起止时间

5.6 本章小结

第六章 离子注入型分压器

6.1 离子注入型分压器的制备

6.2 不同注入条件对分压器的影响

6.3 不同退火条件对分压器的影响

6.4 不同测试温度对分压器的影响

6.5 将注入型分压器集成到硅漂移探测器

6.6 本章小结

第七章 全文总结

参考文献

发表论文和科研情况说明

致谢