集成电路工艺偏差的片上检测与应用

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摘要

图目录

表目录

第1章 绪论

1．1 研究背景

1．1．1 工艺偏差检测的必要性

1．1．2 工艺偏差的应用价值

1．2 研究现状

1．2．1 工艺偏差的研究现状

1．2．2 时序参数测量的研究现状

1．2．3 物理不可克隆函数的研究现状

1．3 研究内容和主要贡献

1．3．1 片上电容阵列测量

1．3．2 片上高精度时序参数测量

1．3．3 物理不可克隆散列函数

1．4 论文的组织结构

第2章 片上电容阵列测量

2．1 引言

2．2 电容测量方法

2．2．1 基于充放电的电容测量基本结构

2．2．2 无电荷注入误差的电容测量结构

2．2．3 采用正交时钟的电压依赖型电容测量结构

2．3 设计与实现

2．3．1 芯片系统设计

2．3．2 测量结构和待测单元设计

2．3．3 芯片版图实现

2．4 误差的理论分析

2．4．1 系统误差分析

2．4．2 随机误差分析

2．5 测量与验证

2．5．1 电容偏差特性

2．5．2 物理结构对电容测量的影响

2．5．3 测量的精度

2．5．4 测量的电压特性

2．6 本章小结

第3章 片上高精度时序参数测量

3．1 引言

3．2 片上示波技术

3．2．1 采样原理

3．2．2 采样的技术实现

3．3 设计与实现

3．3．1 芯片系统设计

3．3．2 功能单元设计

3．3．3 芯片版图实现

3．3．4 非周期信号测量系统

3．4 测量与分析

3．4．1 上升沿时间和下降沿时间测量

3．4．2 建立时间和保持时间测量

3．5 本章小结

第4章 物理不可克隆散列函数

4．1 模型与分析

4．1．1 物理不可克隆散列函数的建模

4．1．2 物理不可克隆散列函数的信息理论分析

4．2 设计与实现

4．2．1 芯片系统设计

4．2．2 功能单元设计

4．2．3 芯片版图实现

4．3 测量与评估

4．3．1 单轮操作时的特性评估

4．3．2 多轮操作时的特性评估

4．4 本章小结

第5章 总结与展望

5．1 论文总结

5．2 工作展望

参考文献

作者简历以及在学期间所取得的科研成果