氢气氛下高温退火对直拉硅中氧的行为的影响

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第1章前言

第2章文献综述

2.1硅的基本性质

2.2硅单晶的制备

2.2.1直拉法

2.2.2区熔法

2.3硅单晶中的氧

2.3.2氧的固溶度

2.3.3氧的扩散

2.3.4氧的测量

2.4硅单晶中的氧沉淀

2.4.1氧沉淀形成的热力学和动力学

2.4.2直拉硅单晶内吸杂

2.5掺锗对直拉硅单晶中氧沉淀和热施主的影响

2.5.1掺锗对直拉硅中氧沉淀的影响

2.5.2掺锗对直拉硅中热施主的影响

2.6掺氮对直拉硅单晶中氧沉淀的影响

2.7硅单晶中的氢

2.7.1氢在硅中的基本性质

2.7.2氢对硅中氧扩散的影响

2.7.3氢对硅中氧热施主生成的影响

2.7.4氢对硅中氧沉淀的影响

第3章实验设备与样品准备

3.1退火设备

3.1.1常规退火炉

3.1.2氢气退火炉

3.2测试设备

3.2.1傅立叶红外干涉仪

3.2.2金相显微镜

3.2.3四探针电阻仪

3.3样品的制备

3.3.1样品的选取

3.3.2样品的腐蚀

3.3.3样品的清洗

第4章氢气氛退火对直拉硅和掺锗直拉硅中氧沉淀和洁净区形成的影响

4.1引言

4.2实验

4.2.1样品参数

4.2.2实验过程

4.3实验结果及讨论

4.3.1氢气和氩气氛下L-H Ramping退火对CZ和GCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响

4.3.2氢气和氩气氛下1200℃/2h预处理对CZ和GCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响

4.3.3氢气和氩气氛下1200℃/1h退火对CZ和GCZ硅片氧沉淀消融的影响

4.4结论

第5章高温氢气氛预处理对掺锗直拉硅中热施主的影响

5.1引言

5.2实验

5.2.1样品参数

5.2.2实验方案

5.3结果及讨论

5.4结论

第6章氢气退火对掺氮直拉硅中氧沉淀和洁净区形成的影响

6.1引言

6.2实验

6.2.1样品参数

6.2.2实验过程

6.3实验结果及讨论

6.3.1氢气和氩气氛下L-H Ramping退火对NCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响

6.3.2氢气和氩气氛下1200℃/2h预处理对NCZ硅片氧沉淀和洁净区形成的影响

6.4结论

第7章总结

参考文献

致谢

附录