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空位对掺锗直拉单晶硅中氧沉淀行为的影响

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本文研究了在利用快速热处理（RTP）注入的大量空位在不同的温度下进行不同的热处理时对掺锗直拉单晶硅氧沉淀的行为的影响。结果表明，当在较低的温度下进行热处理时，掺锗硅单晶的氧沉淀量要高于普通硅单晶；在较高的温度下进行热处理时，锗会对氧沉淀产生抑制作用。同时我们发现，空位对氧沉淀的促进作用要高于锗对氧沉淀的促进作用。

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来源
《第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2009年|1-6|共6页
会议地点杭州
作者
武鹏; 陈加和; 马向阳; 杨德仁; 阙端麟;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
掺锗硅单晶; 氧沉淀; 快速热处理;

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