Au/Bi掺杂碲镉汞材料的第一性原理研究

声明

摘要

符号说明

第一章 绪论

1．1 红外探测材料简介

1．2 HgCdTe材料的相关内容

1．2．1 HgCdTe材料概述

1．2．2 碲镉汞材料的制备

1．2．3 碲镉汞材料的应用

1．3 本文的主要研究内容

第二章 分子模拟技术

2．1 引言

2．2 分子模拟技术的常见方法

2．2．1 Monte Carlo方法(MC)

2．2．2 分子动力学方法(MD)

2．2．3 分子力学方法(MM)

2．2．4 量子力学方法(QM)

2．2．5 介观模拟方法(Mesoscale Simulation)

2．3 第一性原理计算理论

2．3．1 第一性原理计算

2．3．2 薛定谔方程

2．3．3 密度泛函理论(DFT)

2．4 VASP(Vienna Ab-inito Simulation Package)软件包

2．4．1 赝势

2．4．2 VASP的使用

第三章 Au掺杂碲镉汞材料的第一性原理研究

3．1 引言

3．2 计算方法和模型

3．3 结果和讨论

3．3．1 原子弛豫

3．3．2 成键机制

3．3．3 电学性质

3．4 本章小结

第四章 Bi掺杂Hg0．75Cd0．25Te的第一性原理研究

4．1 引言

4．2 计算方法

4．3 结果和讨论

4．3．1 Bi掺杂Hg0．75Cd0．25Te的结构弛豫分析

4．3．2 成键机制

4．3．3 电学性质

4．4 本章小结

第五章 全文总结与展望

5．1 论文完成的工作

5．2 展望

参考文献

致谢

攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况